ROHM开始量产具业界顶级效能650V耐压GaN HEMT

半导体制造商ROHM已开始650V耐压GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT 1「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量产，该二款产品非常适用于服务器和AC适配器等各类型电源系统。

据悉电源和马达的用电量占全世界用电量的一半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的课题。而功率元件则是提高电源效率的关键，SiC（Silicon Carbide：碳化矽）和GaN等新时代半导体材料在进一步提升电源效率方面被寄予厚望。2022年ROHM将闸极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月又确立了能大幅发挥GaN效能的控制IC技术。此次为助力提升电源系统效率和实现小型化，ROHM再推出元件效能达到业界顶级水准的650V耐压GaN HEMT。

新产品是由ROHM与Delta Electronics, Inc.（以下简称 台达电子）的子公司—专注于GaN元件开发的Ancora Semiconductors Inc.（以下简称 碇基半导体）联合开发而成，在650V GaN HEMT的元件效能指数（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss 2）方面，达到了业界顶级水准。因此新产品可以大幅降低开关损耗，进一步提高电源系统效率。另外新产品还内建ESD 3保护元件，将抗静电能力提高至3.5kV，有助提高应用产品可靠性。不仅如此，新产品还具有GaN HEMT元件的优势—高速开关工作，有助周边元件小型化。

ROHM将有助应用产品节能和小型化的GaN元件命名为「EcoGaN 系列」，并不断致力进一步提高元件效能。除了元件开发，ROHM还积极与业界相关企业建立战略合作夥伴关系并推动联合开发，助力提升应用产品效率并实现小型化，持续为解决社会问题贡献力量。