黄仁勋才挺台积电将生产英伟达下代芯片，3纳米RTX5090规格曝光

就在英伟达创办人兼董执行帐黄仁勋表明，下一代芯片仍将由晶圆代工龙头台积电来代工生产，因为中国台湾生产仍具有优势之后，现在外界传出，英伟达的下一代旗舰级显卡──RTX5090将使用台积电的3纳米制程技术，预计将在2024年年底前推出。

根据外媒Hardwaretimes的报导，英伟达在2022年推出的RTX40系列显卡，代号为Ada Lovelace，而下一代英伟达RTX显卡系列，其代号为Blackwell，并表示这些GPU将在台积电的3纳米（N3）节点制程上生产，内含晶体管数量将超过150亿个，晶体管密度接近3亿/mm²，核心运算时脉将超过3Ghz，汇流排密度则为512bits。

以目前市场上的消息来汇整，采用GB102架构的RTX5090将包含144组串流处理器（SM）单元，也就是假设每组SM还是128个计算统一设备架构（CUDA），总计将有18432个CUDA，相较RTX4090多出12.5%。加上96MB二级暂存，搭配GDDR7显示内存，并将支持PCIe5.0 x16接口。

而根据日前Computex Teipei2023上，板卡制造商所提供的下一代辉达RTX旗舰显卡的散热设计来看，该款显卡使用了动态双金属鳍片（Dynamic Bimetallic Fin），6条贯穿式纯铜热管、大面积铝质鳍片中也嵌入了铜片，进一步增强散热，而显存区域也有对应的散热铜片。因此，以显卡如此的散热条件来说，英伟达的RTX5090的原始功耗和发热效能应该将会给人留下深刻的印象。

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