芯德科技：CAPiC平台助力国产先进封装崛起，致力CHIPLET产业化推进

集微网消息 6月2日3日，“2023第七届集微半导体峰会”在厦门国际会议中心酒店隆重召开。

在首日举办的“首届集微半导体制造峰会暨产业链突破奖颁奖典礼”上，江苏芯德半导体科技公司（以下简称“芯德科技”）副总经理张中以“芯德科技介绍及先进封装全方面解决方案”为主题，分享了芯德科技公司基本情况、产业链以及芯德科技的技术定位，以及深入分析了芯德科技在Chiplet方向上的研发布局及产业化发展动态。

致力成为世界先进封装企业 正启动IPO前最后一轮融资

众所周知，先进封装对于半导体产业而言至关重要。近些年来，以2.5D/3D等先进封装代表当前最新封装技术，Chiplet等核心设计理念发展迅速。

据了解，芯德科技成立于2020年，是一家成长于南京的半导体高端封测科技企业，主营业务是半导体集成电路中中高端封装测试。公司核心管理与研发团队均在芯片集成电路业界深耕二十多年，致力于为国内外客户提供一流的封装技术服务公司，已取得IS09001、QC080000、1S014001、IS027001、ESD20.20、IATF16949等体系认证，目前公司已经成功导入国内外客户超百家，已经获得众多国内一线终端厂商认证。

张中介绍，芯德科技自2020年9月成立以来，迅速制定了详细的通线方案，短短9个月就实现了QFN、CSP以及LGA/SIP等产品量产。

江苏芯德半导体科技公司副总经理张中

值得注意的是，正是芯德科技的技术与实力获得了资本市场的认可，使得公司运营第一年就获得了君海、小米、OPPO、晨壹、金浦新潮、上海国策等多家一线机构的投资。

2022年，芯德科技在新产品方面再次获得突破，成功量产了FCBGA、FCCSP等高端封装产品，同年，芯德科技筹备已久的先进封装技术研究院揭牌成立，总投资3.1亿元用于2.5D封装，已经为国内某知名服务器公司完成了2.5D封装制作。2023年初，公司为Chiplet产业化项目成立了扬州工厂，目前新工厂已经正式开工建设，预计2024年完工，为芯德科技后续战略发展奠定了坚实的基础。2023 年6月份，公司开始启动PREIPO融资，用于公司核心规划的一期扩产及二期建设。

张中强调，芯德科技目前已经有1400多名员工，拥有超过150件专利，并且已经通过了世界一线封装公司必须的系统体系通过的认证。在客户方面，目前芯德科技已经通过OPPO、小米、传音、龙旗、华勤等国内一线终端品牌的认证，目前已经正式导入国内外一线芯片设计公司客户，芯德科技致力于成为世界先进封装公司。

而从技术解决方案来看，张中介绍，芯德科技主要分为两大部分：其一是Wafer Level产品，该部分主要为晶圆级封装产品，经过两年多的发展，芯德科技已经研发完成Bumping、WLCSP、Fanout-LD等一站式解决方案，截至今年5月，目前已经全部实现量产。芯德为客户提供了全方位的 CP-BUMPING-ASLY-FT的一站式解决方案。

其二则是Strip Base，诸如基板类、Lead frame类，芯德科技前期完成了充分的布局，目前部分产品线接近满产，基板类的一线客户已经开始全面导入，2023年下半年将给公司带来的销售业绩支持，这里面包括大陆以及台湾地区的一线客户。

2.5D封装方面，芯德科技在2023年初已经实现了产品线通线，并为国内某知名服务器公司完成了2.5D封装制作，同时和多位客户的合作进入产品的设计以及样品制作阶段。

此外，张中强调：“做高端封装的企业，一定要有高水准的Bumping制造技术平台，没有Bumping的企业几乎无法完成先进的封装产品的研发以及产业化，如近些年火热的Chiplet理念相关的封装技术，其本身是Bumping和封装综合类的产品。芯德科技可提供BUMPING、FC-LGA、FC-BGA、SiP，以及2.5D全流程解决方案，就是得益于芯德科技前期的产业布局。通过一系列前瞻的产业布局，芯德科技已经完全达到业界的一流水平。”

Chiplet为最新高端封装技术 芯德科技CAPiC平台全方位应对

众所周知，目前芯片封装技术已经演进到Fanout、2.5D和3D技术，据张中分析，摩尔定律经过45年的发展，出现了随着尺寸微缩而带来主要问题：例如16、14纳米节点芯片的设计成本高达2亿多美元，5nm制程更是多达3.8亿美金，而16、14纳米建厂的成本已经达到150亿美元，只有少数头部公司才具备相关实力。

张中认为，2.5D/3D封装技术的优势在于，首先，可以通过封装来提高封装密度问题；其次，使用晶圆级封装设备以及工艺（非FAB厂设备数量级）来实现多种性能芯片的合封，最大限度的无限缩小物理上的传输距离，从而达到SoC类似的功能并更具经济性。

当前世界范围类2.5D技术路线有多种，如Interposer种类，主要有SI/Organic/Glass之分，Si基Interposer主要在FAB-AT使用；Organic-RDL则是OSAT主要技术路线；再如TSMC因成本考量多款产品开始使用INFO-R、CoWos-R Organic RDL路线、载体方式方面，主要包括Wafer-Level以及Panel-Level两种方式。

芯德科技提供了全方位的策略解决方案，如Low-density集成，采用FILM-FANOUT工艺；Middle-density集成，采用Molding-Fanout工艺；2.5D High-density集成，采用Organic-RDL Interposer路线，其通过Die last最大限度保证客户芯片封装良率。

张中表示：“目前业界定义的半导体三大互联封装技术体系分别为Die Attach 8 Wire Bond、Flip ChipUnderfill、ChipletHeterogenous PKG，而这三大芯片封装的互连技术组成了半导体封装行业的核心产业，Chiplet则是互联技术以及理念是最新的高端封装技术。”

据张中介绍，Chiplet封装技术主要有4种应用，分别是C2M（计算存储互连）、C2C（计算多芯片互连）、C2O（计算及其它芯片互连）、C2IO（计算以及输入输出互连）。

在Chiplet封装技术布局方面，2023年2月10日，由中国科学院计算技术研究所提出、中国电子工业标准化技术协会颁布《小芯片接口总线技术要求》，正式出台Chiplet相关互连标准，江苏芯德半导体科技有限公司正是联盟会员之一；为此，芯德科技的策略是以自研的CAPiC技术平台全面对接该标准的核心战略和要求。

张中举例说明，如同质结构封装结构NVIDIA A100 40GB HBM2最强的GPU芯片，该芯片用于特斯拉电动汽车全功能智能驾驶系统，国内众多汽车公司同步研发，其就采用了Chiplet封装技术，将英伟达CPU中央处理器芯片，外面互联5颗5GB三星存储芯片，目前芯德科技已经拥有类似的解决方案，为客户提供更多选择。

值得一提的是，芯德科技晶粒及先进封装技术平台（CAPiC）是其先进封装技术研究院全面研发以及布局6 大技术平台，具有行业领先性。

首先是膜压/树脂扇出结构eWLB-F/eWLB-M技术平台，主要应用于PMIC/Audio、ESD/RF+Memory、Low end CPU、RF/Memory、RF/IPD、Substrate-less等领域；主要应用于中、大颗芯片的扇出型封装，封装尺寸能够在8x8~15x15mm左右；使用精细化的ABF膜以及晶圆级的模封方案，再布线和凸块技术，将芯片进行最高效的封装和保护，也可以多颗芯片互联，实现最小封装尺寸，减少厚度，减少连接损耗，降低成本，高性价比，该方案可以有效取代部分的基板制造需求，实现从FCCSP到FANOUT-CSP的转化。

其次是叠层芯片扇出结构TMV-POP技术平台，主要应用于手机AP、穿戴产品AP、其他可移动终端AP类等领域；主要应用在高算力的封装，通过将再布线转接板将同质或者异质芯片进行互联后并通过高铜柱和塑封料的将互联部分引入封装体的背面并进行引出凸点，进行再次与另一封装体进行互联，在不增加封装平面尺寸的前提下，实现封装体与封装体的互联，提供性能，并充分发挥不同封装体的优势。

其三是玻璃基扇出结构TGV-POP技术平台，主要应用在射频开关、射频前端模组、射频天线集成等领域；主要应用在射频类的芯片封装，具有高密度、低翘曲（CTE match）、高可靠性、低损耗因子、低芯片偏移、低翘曲等优点，该封装利用玻璃绝缘体材料，使得衬底损耗和寄生效应大大减小，保证了传输信号的完整性，在玻璃上进行再布线，转移凸点并在此基础上，芯片与芯片间的封装互联，充分满足高频信号传输的需求。

其四是高密度重布线扇出结构FOCT-R技术平台，主要应用在Network switch、Network route、穿戴产品CPU、GPU等领域；主要应用在数据中心，服务器CPU，推算AI、IOT芯片，实现了同质，异质芯片间的互连；并且可以整合两种具有不同特点的基板：高层数的基板，更精密的再布线转接板（RDL Interposer）；还可以进一步实现更大的2.5D封装，并降低基板层数。使用再布线和凸块技术，实现最小2μm的线宽，2um间距的布线，芯德科技推出单芯片HPFO技术，采用Interposer来有效降低基板的制造层数。

其五是高密度硅通孔扇出结构FOCT-S技术平台，主要应用在手机AP、穿戴产品CPU、GPU等领域；该平台专用于需要高性能和大面积封装技术的高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、数据中心和网络产品等领域；使用硅转接板（Si Interposer），实现更高精度（<1um L/R）的再布线层，提供更高性能，充分发挥2.5D封装的优势和特点；芯德科技和客户以及UMC，Global Foundry全面开展此工艺流程的研究和推进工作，采用新的商务流程推进。

其六是重布线及硅基埋入基板扇出结构SETiS/RETiS技术平台，主要应用在多Core CPU、高性能GPU、AI Trainor、HPC等领域；其通过嵌入式多芯片互连桥接，可以实现异质和同质芯片的互联，成本更低，实现包括CPU、图形卡、内存、IO及其它多个芯片间的通信；通过将再布线层转接板（RDL Interposer）嵌入到基板中，可以实现在不增加封装厚度的前提下，提高芯片间的通信效率，降低损耗，降低基板设计难度和层数。

最后，张中总结道，芯德科技将持续全方位推进封装技术的研发工作，包括自主研发以及合作开发，我们成立了先进封装研究院，邀请大学以及业内一线专家推进先进封装技术研究，并持续进行核心专利布局。经过两年多的发展与团队努力，芯德科技实际导入的客户已经近百家，已经通过中兴、小米、vivo、OPPO、传音、华勤、龙旗等一线终端厂商的审核，进入了他们的供应链。公司团队将继续秉承 “同心同德，用心做芯”的公司理念，推进先进封装技术研发以及产业化的发展，为我们的广大客户、芯德员工、以及股东们创造更多的效益，为产业界做出芯德的贡献！