【半导光电】VCSEL制造工艺全流程
来源:今日光电发布时间:2023-06-014207浏览
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作为自动驾驶所需的LiDAR等3D传感技术的光源，半导体激光器的市场变得活跃起来。其中之一是具有小型化、节能等优点的VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser），下面介绍面向VCSEL的干法工艺。
VCSEL制造工艺
 | 1. 外延生长在GaAs（砷化镓）衬底上，通过分子束外延生长由 多个周期的AlGaAs(砷化铝镓)/GaAs层堆叠在一起的 AlGaAs/GaAs系DBR（分布反射型Distributed Bragg Reflector）。 |
 | 2. Patterning＆Mask形成为了将外延层做成被称为 Mesa 的圆柱形，制作一个掩模图案。 |
 | 3. Mesa加工用干法蚀刻进行Mesa加工。 |
 | 4. 氧化狭窄＆保护膜形成活性层附近设计的特定AlGaAs层通过湿法氧化而氧化狭窄 （氧化狭窄层作为电流和光的封闭结构， 成为影响VCSEL特性的非常重要的层）。另外，沉积Mesa侧壁保护膜。 |
 | 5. 电极形成n型、p型电极形成。 |
来源：半导体封装工程师之家
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