蓉矽黑科技正式亮相：切实保障SiC MOSFET栅极氧化层可靠性

5月26日，蓉矽半导体WLTBI系统启动仪式在成都总部进行。蓉矽半导体董事长戴茂州，副总裁、研发中心总经理高巍博士，副总裁、运营中心总经理廖运健，联讯仪器董事长胡海洋，销售总监张纪出席仪式。

何为“WLTBI”系统碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，具有耐高压、耐高温、低损耗等优异性能，在高温、高频和大功率条件下具有广阔的应用前景，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在光储充、新能源汽车、服务器电源等领域具有广阔的应用潜力。与此同时，栅极氧化层潜在退化/失效问题是阻碍SiC MOSFET商业化进程的重要问题，新能源汽车应用则对SiC栅极氧化层的可靠性提出了更加严苛的要求。WLTBI (Wafer-Level Test Burn-in)系统用于晶圆测试阶段，通过设置合理的老化实验条件，在不影响器件本身性能的情况下筛除栅极氧化层于产品生命周期中的潜在退化/失效，从而大大提高筛选后SiC MOSFET器件栅极氧化层可靠性及使用寿命。该系统由蓉矽半导体在全国范围内率先投资引入，以确保碳化硅晶圆出厂质量与可靠性达到行业最高标准。蓉矽半导体拥有ISO 9001质量管理体系认证，建立了IATF 16949供应链体系，全系列产品均严格执行AEC-Q101标准，其中DuraSiC®产品系列按照NovuSuperior (AEC-Q101+)标准考核验证，是蓉矽半导体符合车规级以上要求的高可靠性产品。目前，蓉矽半导体碳化硅NovuSiC®/ DuraSiC®系列1200V 10A/ 20A/ 30A EJBS™以及碳化硅NovuSiC®/ DuraSiC®系列 1200V 12mΩ/ 40mΩ/ 75mΩ MOSFET均已量产，可通过官方网站或联系销售经理购买样品，特殊封装需求可详细沟通定制。

来源：蓉矽半导体

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