日程公布！ISPSD 2023 将于5月28-6月1日在中国香港举办

来源:半导体产业网发布时间:2023-05-155200浏览

半导体产业网讯：第35届功率半导体器件和集成电路国际会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)将于2023年5月28-6月1日在中国香港举办。香港科技大学陈敬(Kevin J. Chen)教授担任本届大会主席（General Chair）。

ISPSD从1988年至今，已经有30多年的历史。30多年来，ISPSD极大的推动了全球功率半导体器件和功率集成电路的发展。

作为IEEE旗下的功率半导体旗舰会议，ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、功率集成、工艺、封装和应用等功率半导体领域的所有方面，是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议，也是功率半导体器件和集成电路领域在国际上最重要、影响力最强的顶级学术会议，它被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议，一直以来都是国内外半导体产业界龙头企业和全球知名学术科研机构争相发表和展示功率半导体前沿技术重要成果的舞台。

今年，香港科技大学陈敬（Kevin J. Chen）教授担任“第35届功率半导体器件和集成电路国际会议(ISPSD 2023)”大会主席。他曾在国际期刊和会议论文集中发表500余篇论文，其中包括国际电子器件会议IEDM发表28次. 在GaN电子器件技术方面曾获得11项美国专利授权。他所带领的科研团队目前的研究重点在于开发用于功率电子、射频/微波及耐恶劣环境电子等方面的GaN器件及集成电路技术。

陈敬教授是IEEE Fellow，2013年陈敬教授曾担任《IEEE电子器件汇刊》“GaN电子器件”特刊的特邀编委。此外，他还担任《IEEE电子器件汇刊》、《IEEE微波理论与技术汇刊》及《日本应用物理杂志》的编辑。

陈敬教授曾于2019年担任在上海举办的IEEE第31届国际功率半导体器件和集成电路研讨会ISPSD2019的（Technical Program Committee，TPC）技术委员会主席，今年担任 ISPSD 2023大会主席（General Chair）。

值得关注的是，随着中国功率半导体器件及集成电路产业的发展，ISPSD 2019会议在2019年5月20-25在上海成功召开。曾由浙江大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，由中国电机工程学会技术主办，IEEE电气和电子工程师协会、IEEE电子器件学会、IEEE电力电子协会、IEEE工业应用协会和日本电气工程师协会协办。大会共收到论文299篇，其中oral paper的录取率为16%。ISPSD2019由浙江大学盛况教授担任大会主席（General Chair），电子科技大学张波教授担任大会副主席（Vice General Chair）；香港科技大学陈敬（Kevin J. Chen）教授担任技术程序委员会（Technical Program Committee，TPC）主席。

ISPSD 2019是该会议自1988年发起以来首次在中国大陆举办，标志着中国大陆电力电子器件的研究和产业水平在国际上产生了越来越重要的影响力，也说明中国大陆学者在电力电子领域扮演和承担着重要的角色。

同时，这是ISPSD会议举办35年以来第三次在中国召开，第一次是2015年在香港，第二次是2019年在上海。今年ISPSD 2023选择在中国香港举办，更加体现了中国学者在电力电子领域所做的努力和贡献！

正如，大会主席陈敬教授在致辞中所言，ISPSD 2023即将来到香港，这个全球金融中心和文化大熔炉为每个人提供了一些东西。香港位于中国大湾区的中心地带，是一座充满活力的现代化城市，融合了世界文化和自然美景，为与会者提供了多种探索机会。

—— ISPSD 2023 会议议题——

ISPSD 2023会议议题分为以下六个方向：高压功率器件（High Voltage Power Devices）、低压功率器件（Low Voltage Devices and Power IC Device Technology）、功率集成电路（Power IC Design）、氮化镓与化合物材料：器件和技术（GaN and Compound Materials: Device and technology）、碳化硅与其他材料（SiC and Other Materials）、模块与封装工艺（Module and Package Technologies）。

在六大议题中，以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体（也就是中国大陆常说的第三代半导体）器件以其独特优势在近年来引发了国内外产业界和学术界的关注，在材料生长、制造工艺与应用等领域蓬勃发展，被认为是下一代电力电子器件和功率集成电路的重要发展方向。凭借其优异的性能（如更高的击穿电压、更高的热导率、更高的电子饱和速率和更优异的抗辐射能力），宽禁带半导体电力电子器件在新能源汽车、分布式并网、新型直流输配电网、数据中心、航空航天和消费类电子等诸多领域都有着广泛的应用前景。

—— 论文入选情况 ——

据芯思想统计数据显示，ISPSD 2023共收到233篇论文，经过技术委员会评审，共录取104篇，包括口头报告43篇，海报张贴61篇（有一篇取消），实际103篇。

入选的103篇论文来自12个国家的机构，按国家入选数量统计排名（按第一作者所在国家统计），中国是入选论文数量最多的国家，口头报告12篇，海报张贴33篇，共入选45篇论文。日本入选论文数量排名第二，美国第三，德国第四，瑞士和意大利并列第五，法国第七，奥地利和加拿大并列第八，英国、韩国、马来西亚并列第十。

——中国入选论文情况 ——

据芯思想统计数据显示，今年ISPSD 2023，中国是入选论文数量最多的国家，共入选45篇论文，其中入选口头报告12篇（内地10篇，中国香港2篇），占比27.91%；入选海报张贴33篇（内地27篇，中国香港3篇，中国台湾2篇，中国澳门1篇），占比54.10%。

2023年中国共有16家机构有论文入选ISPSD，澳门大学和西交-利物浦大学是第一次有论文入选。

电子科技大学共有15篇论文入选，功率集成技术实验室入选（PITeL）13篇，其他2篇来自新器件研究室。电子科技大学功率集成技术实验室（PITeL）以口头报告4篇，9篇海报论文，合计13篇一作论文入选ISPSD2023，再次摘取团队论文数量第一名！这是团队自2017年以来，第六次（2017年、2018年、2019年、2020年、2022年、2023年）获得一作论文录取数第一名！功率集成技术实验室（PITeL）的13篇论文分布在氮化镓（GaN）专题1篇，高压功率器件（HV）专题4篇，功率集成设计（ICD）专题2篇，低压功率器件（LVT）专题 4篇，碳化硅（SiC）专题2篇；其中涉及氮化镓（GaN）相关研究进展3篇。电子科技大学新器件研究室2篇海报论文的一作是程骏骥副教授。程骏骥博士在中国科学院院士、IEEE FELLOW陈星弼先生指导下于2012年2013年连续在ISPSD发表2篇论文。

香港科技大学入选2篇口头报告和3篇海报论文，共计5篇入选。其中陈敬教授团队4篇，都是氮化镓（GaN）的相关研究进展；单建安教授团队1篇快恢复二极管（FRD）的相关研究进展。

北京大学有1篇口头报告和2篇海报论文，共计3篇入选，都是氮化镓（GaN）相关论文，是集成电路学院魏进、王茂俊课题组与物理学院沈波、杨学林课题组合作的工作成果。

南方科技大学有1篇口头报告和2篇海报论文，共计3篇入选，都是来自化梦媛课题组的氮化镓（GaN）相关的工作成果。

中国科技大学入选2篇口头报告，1篇是氮化镓（GaN）相关论文，1篇是氧化镓（Ga2O3）相关论文，都来自龙世兵、徐光伟课题组的工作成果。

南京大学入选1篇口头报告和1篇海报论文，共计2篇入选。口头报告是来自陆海课题组氮化镓（GaN）相关的工作成果，海报论文是来自叶建东课题组有关氧化镓（Ga2O3）异质结的工作成果。

西安电子科技大学入选1篇口头报告和1篇海报论文，来自西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队马晓华教授、李园副教授课题组的相关工作成果，分别介绍了增强型氧化镓（β-Ga2O3）金属异质结复合场效应晶体管和热电协同设计的氧化镓（Ga2O3）沟槽二极管的相关研究进展。

浙江大学入选2篇海报论文，1篇是杨树教授课题组的氮化镓（GaN）的相关研究进展，1篇是盛况教授、任娜研究员课题组碳化硅（SiC）的相关研究进展，都来自电气工程学院。

中国科学院微电子研究所入选2篇海报论文，都来自刘新宇团队黄森、蒋其梦课题组有关氮化镓（GaN）的最新研究成果。

安徽大学入选2篇海报论文，1篇是氮化镓（GaN）相关论文，1篇是碳化硅（SiC）相关论文，都是物质科学与信息技术研究院唐曦教授课题组与电气工程与自动化学院胡存刚教授、曹文平教授课题组合作的工作成果。这是安微大学继2022年后连续第二年有论文入选。

东南大学入选2篇海报论文，都来自功率集成技术实验室孙伟锋教授团队，一篇是GaN功率IC，一篇是关于SOI-BCD。

深圳大学入选1篇海报论文，来自材料学院刘新科研究员团队有关氮化镓（GaN）的最新研究成果。

澳门大学入选1篇海报论文，来自澳门大学模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室路延副教授课题组有关功率集成设计（ICD）的最新研究成果。这是澳门大学在ISPSD会议上入选的第一篇论文。

西交利物浦大学入选1篇海报论文，这是西交利物浦大学在ISPSD会议上入选的第一篇论文，来自刘雯副教授团队有关氮化镓（GaN）的最新研究成果。

台湾阳明交通大学国际半导体产业学院入选1篇海报论文是有关氮化镓（GaN）的最新研究成果。

台湾清华大学入选1篇海报论文是关于碳化硅（SiC）的相关研究进展。

—— ISPSD 2023 程序委员会——

ISPSD 2023大会由香港科技大学陈敬（Kevin J. Chen）教授担任大会主席（General Chair）；台积电蔡俊林（Tom J.-L Tsai）担任技术程序委员会（Technical Program Committee，TPC）主席，浙江大学杨树教授担任短期课程（Short Course Chair）主席。

ISPSD 2023技术程序委员会（TPC）共有60位委员，其中华裔委员共有18位，占30%；他们分别是大会主席陈敬（香港科技大学）、TPC主席Tom Tsai（台积电TSMC）、高压功率器件分议题主席Fred Fu傅玥（加拿大Xiinergy Systems），其他华裔委员还有汤艺（女，斯达半导体）、乔明（电子科技大学）、Kuo Ming Wu（台积电）、Xin Lin（美国NXP）、明鑫（成电）、Weijia Zhang（女，加拿大ADI）、Leon Wang（豪威）、杨树（女，浙大）、周弘（西电）、Roy K.-Y. Wong黄敬源（英诺赛科）、Tom J.-L Tsai蔡俊林（台积电）、Huili Grace Xing（女，美国康奈尔大学）、柏松Song Bai（中电科55所）、Chih-Fang Huang黄智方（台湾清华大学）、Cheng-Tyng Yen颜诚廷（即思创意FSS）、Wei-Chung Lo骆韦仲（台湾工研院ITRI）、Yang Xu（特斯拉），其中乔明、Xin Lin、Leon Wang、周弘、黄敬源、颜诚延是本次新增委员。

—— 参会报名——

贾先生：18310277858，jiaxl@casmita.com

张女士：13681329411，zhangww@casmita.com

张先生：18601159985，zhangtk@casmita.com

备注：根据ISPSD 2023官方公布信息、芯思想等公开信息整理，一切以会议现场为准。

ISPSD2023-Short-Course-bio-abstract-20230411.pdf