有重大突破？三星披露第二代3nm工艺
来源:芯片大师发布时间:2023-05-101716浏览
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导读：据韩媒《每日经济新闻》报道，三星在“国际超大型集成电路技术研讨会上”的预备展示材料显示，第二代3nm工艺性能将比目前的4nm制程（SF4）快22%，能效可提高34%，芯片尺寸也将缩减21%。
图源：三星
据了解，三星第一代3nm工艺于去6月首次投产，采用了GAA（Gate-all-around，环绕栅极）技术，其主要优点之一就是可以使得漏电流减少，并且通道厚度可以调整，以提高性能或降低功耗。
但发布后，三星第一代3nm工艺良率饱受争议。且当时第一代3nm工艺是与5nm工艺相比，三星声称3nm芯片性能比5nm提高23%，芯片尺寸缩小16%。
根据三星官方预告，名为SF（3GAP）的三星第二代3nm制程技术，将使用第二代MBCFET架构，在第一代3nm GAA (SF3E) 基础上做进一步的优化。三星方面表示，其第二代3nm制程将在2024年与台积电的先进制程技术上展开竞争。
图源：网络
韩媒《每日经济新闻》报道指出，三星此次公布的新信息意义重大。因为这是三星首次用3nm芯片制程与目前主要的4nm制程相比。不过，三星并没有将其SF3与SF3E进行比较，也没有关于SRAM和模拟电路缩放方面的资料。
行业专家表示，三星第二代3nm制程技术能否称为三星技术能力的重大推进，能否帮助其与台积电的竞争还有待观察。
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