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来源：三菱电机官网

▲3.3kV SBD-embedded SiC-MOSFET module

TIP：东芝开发出SBD嵌入式低导通电阻高可靠性SiC MOSFET

2022年12月，东芝官网发布消息，公司已经开发了一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该晶体管将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成方格状（方格状嵌入式SBD），以实现低导通电阻和高可靠性。东芝已经证实，与目前的SiC MOSFET相比，这种设计能够在不影响可靠性的前提下，将导通电阻 (RonA)降低约20%。

众所周知，在SiC MOSFET反向操作期间，体二极管中的双极传导会降低电阻，进而造成不良影响。东芝电子元件及存储装置株式会社开发了一种将SBD嵌入MOSFET的元件结构来抑制体二极管，但发现，用嵌入式SBD取代MOSFET沟道会降低沟道密度并增加导通电阻。这一取舍问题现在已经通过新的嵌入式SBD结构得以解决，东芝证实，该结构能够显著提高性能特性。

通过部署方格状SBD分布，东芝改善了SBD嵌入式SiC MOSFET传导损耗，并实现了良好的二极管导电性。对具有优化设计的1.2kV级SBD嵌入式MOSFET的侧电流特性的评估证实，使用方格设计将嵌入式SBD固定在体二极管附近能够有效限制寄生二极管的双极传导，而反向传导的单极电流限制是由相同SBD面积消耗的电流条状SBD图案设计实现的单极电流限制的两倍。在2.7mΩ・cm2条件下，导通电阻降低约20%。

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