MOSFET的特性

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来源： 苍宇辰芯IC

关于MOSFET的寄生容量及温度特性

MOSFET静电容量之详细

功率MOSFET的结构包含图1所示的寄生容量。
利用氧化层在MOSFET的G (闸极)端子和其他电极之间形成绝缘，让在DS (汲极．源极)之间形成PN接合区，如此即形成类似二极管的结构。Cgs,Cgd取决于氧化层的静电容量，而Cds的容量则依内部等效二极管的接合容量不同而异。

一般来说，MOSFET规格书中所刊载的容量包含表1所示的Ciss/Coss/Crss等3种。

容量特性は図2に示すようにDS (ドレイン・ソース) 间电圧VDSに対する相关性があります。VDSを大きくすると容量値は小さくなる倾向があります。

温度特性

图3 (1) to (3)所示为实际测量范例。容量特性与温度间几乎没有关系。

关于MOSFET的切换作用及温度特性

关于MOSFET的切换时间

当闸极电压做ON/OFF切换动作后，需经过一段延迟时间，MOSFET才会变为ON/OFF，此一延迟时间就称之为「切换时间」。表1所示为切换时间的种类，一般来说，规格书上所刊载的种类包含td(on)/ tr/ td(off)/ tf等几种。
ROHM系根据图2电路中的测量值来决定规格书的typ.值。

温度特性

图3 (1) to (4)所示为实际测量范例。
当温度上升时，切换时间会出现些微增加的情形，当温度上升100℃时，切换时间约增加10%左右，由此可知切换特性与温度之间的相关性几近于零。

关于MOSFET的VGS(th)

关于MOSFET的VGS(th)

启动MOSFET时，GS (闸极与源极)之间所需的电压即称为「VGS(th)(阀值)」也就是话说，当施加的电压超过阀值时，MOSFET便会进入启动状态。
那么，当MOSFET进入启动状态时，通过的电流值是多少安培呢？规格书的电气特性栏记录着各项组件的电流值。

表1所示为规格书中电气特性栏之范例。假设所施加的电压为VDS=10V，那么要让ID(汲极电流)达到1mA所需的阀值电压VGS(th)即为 1.0V to 2.5V。

表1: 规格书的电气特性栏

ID-VGS特性与温度特性

图1和2所示为ID-VGS特性与阀值温度特性之实测范例。
如图1所示，如果要让更大的电流通过，就必须提高阀值电压。
表1所刊载的机型在规格书中的阀值小于2.5V，但驱动电压为4V。
开始使用前，请先施加已经完全启动的闸极电压。

如图2所示，阀值将以和温度等比例的方式降低。
亦可利用观察阀值电压变化的方式，来计算组件的信道温度。

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