韩媒：三星第二代3nm技术跃进

据韩媒引述知情人事谈话报导，三星预计明年推出的第二代3nm制程技术大跃进，效能比目前的4nm制程快超过20%，显示三星将第二代3nm制程商品化的脚步如期。韩国业界人士认为，这个水平可能威胁台积电。

对于三星第二代3nm制程效能可能造成的威胁，台积电并无评论。

中国台湾半导体业界人士则指出，台积电年度全球技术论坛中国台湾场次将在11日登场，届时将透露先进制程最新蓝图与进展。

韩国每日经济新闻英文版网站The Pulse报导，产业人士透露，三星将在6月于日本举行的国际超大规模集成电路技术研讨会上，以初步简报透露目前的芯片技术状况，简报说明第二代3nm制程效能比目前的4nm制程（SF4）快22%，节能程度提高34%，芯片尺寸也将比上一代缩减21%。

报导指出，三星发表的这项新信息意义重大，因为这是该公司首次拿未来的芯片制程与主要的4nm制程相比。此前，三星都以5nm制程作为比较下一代技术效能的基准，去年6月首度生产3nm制程时，便声称效能比5nm制程（N5）快23%，芯片尺寸缩小16%。

不过，产业专家审慎评估三星的最新进展，能否称为技术能力的重大推进，特别是和台积电的竞争态势。台积电最近宣布其第二代3nm制程的效能比5nm制程芯片改善18%，耗能减少32%。