传三星移出部份华城NAND设备 减产效果2Q显现

华城园区为三星主要先进半导体生产据点。三星

传三星电子（Samsung Electronics）已移除华城园区部分NAND Flash生产设备，未来华城园区将以生产DRAM及采用极紫外光 （EUV）曝光技术的系统半导体为中心。

预期2023年第2季三星NAND Flash产量，将相较2022年减少约12%。

韩媒Chosun Biz引述业界消息指出，三星自2022年下半开始，将华城园区16号和17号产线部分NAND Flash设备，搬迁至平泽园区等地，原产线将转为生产DRAM和系统半导体。华城12号产线部分生产的NAND flash，也有望逐步减产。

未来三星NAND Flash生产据点将集中于韩国平泽及国内西安，华城园区仅以DRAM和EUV产线为主力。

据悉，由于三星近期扩大在最新DRAM制程中导入EUV设备，而华城园区又是大量使用EUV设备的生产据点之一，因此三星希望让DRAM产线及EUV产线紧邻部署并整合，提高生产效率。本次迁出NAND Flash设备的17号产线，便与EUV专用产线V1相邻。

随着NAND Flash产线调整及设备移除，预期三星自2023年第2季开始，NAND Flash总产量将大幅下降。估计第2季平均每月晶圆单位生产量，将自2022年66万片，减少至58万片，年减12%。

由于三星开始减产，加上SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）、铠侠（Kioxia）等主要业者调整供应量，NAND Flash价格也开始出现反弹迹象。市调机构Omda指出，TLC 256Gb产品平均价格预计在第3季触底，第4季持平，于2024年第1季开始回升； 512Gb、1Tb则有望在第3季触底反弹，第4季回升。

责任编辑：张兴民