重磅！英飞凌57亿收购氮化镓厂商，特斯拉却拟削减75%碳化硅？

导读：以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体近来消息不断，英飞凌宣布将以8.3亿美元收购GaN功率半导体厂商GaNSystems，双方已签署最终协议。特斯拉却在近日举办的投资者日提到，计划在下一代汽车动力系统中大幅减少碳化硅晶体管的使用，不过该消息让不少业内人士质疑。

英飞凌57亿收购GaN Systems

3月2日，英飞凌在官网宣布将以 8.3 亿美元（57亿人民币）收购 GaN Systems，两家公司已签署最终协议。

GaN Systems是GaN功率半导体厂商，拥有广泛的晶体管产品组合，可满足多行业的需求，包括消费电子、可再生能源系统、工业电机和汽车电子等。该公司总部位于加拿大渥太华，拥有200余名员工。

英飞凌首席执行官 Jochen Hanebeck 表示：“计划收购 GaN Systems 将基于无与伦比的研发资源、应用理解和客户项目，显着加快我们的 GaN 路线图。按照我们的战略，此次合并将通过掌握所有相关的功率技术，无论是硅、碳化硅还是氮化镓，进一步加强英飞凌在功率系统领域的领导地位。”

GaN Systems 首席执行官 Jim Witham 表示：“GaN Systems 团队很高兴与英飞凌合作，在汇集互补优势的基础上打造高度差异化的客户产品。凭借我们在提供卓越解决方案方面的共同专业知识，我们将以最佳方式利用 GaN 的潜力。”

作为一种宽带隙材料，GaN（氮化镓）通过更高的功率密度、更高的效率和更小的尺寸为客户提供价值，尤其是在更高的开关频率下。这些特性可实现节能和更小的外形尺寸，使 GaN 适合广泛的应用。

图：GaN Systems

除了此次收购GaN Systems，英飞凌近年来也一直在加大GaN和SiC的制造能力。

英飞凌早在2015年通过收购International Rectifier获得了与GaN功率器件相关的产品/技术。同年，宣布与松下合作开发GaN功率半导体，开发出第一代联合开发产品“CoolGaN”，采用常关型GaN-on-Si晶体管结构。2021年，他们与松下签订合同，共同开发和制造第二代产品，并宣布计划在2023年上半年推出650V耐压GaNHEMT上市。

2022年2月，英飞凌宣布计划投资20亿欧元，在其位于马来西亚库林的工厂建造第三个厂区，以提高自身在宽禁带半导体（SiC和GaN）领域的制造能力，并进一步增加产能。

2023年1月，英飞凌宣布扩大与碳化硅 (SiC) 供应商的合作，与Resonac Corporation（前身昭和电工）签署了一份新的长期供应与合作协议，补充并扩大了2021年的协议，新的合同将深化双方在碳化硅材料方面的长期合作伙伴关系。

特斯拉拟削减碳化硅使用量

特斯拉在当地时间周三举办的投资者日提到，计划在下一代汽车动力系统中大幅减少碳化硅晶体管的使用，这导致部分芯片制造商的股价在周四下挫。

在投资者日演示会上，特斯拉动力系统工程负责人Colin Campbell上台展示了该公司计划如何在保持高性能和转化效率的同时降低汽车动力系统的成本。Campbel透露：“在我们的下一代动力系统中，我提到的碳化硅晶体管是关键部件，但这一部件价格昂贵，(因此)我们找到了一种方法，可以在不影响汽车性能或效率的情况下减少75%的使用量。

据了解，与前两代半导体材料相比，以碳化硅制成的器件拥有良好的耐热性、耐压性和极低的导通能量损耗，是制造高压功率器件与高功率射频器件的理想材料。因此，碳化硅下游应用包括新能源、光伏、储能、通信等尖端领域。

对于特斯拉的说法，美国银行分析师认为“值得注意，但为时过早”。不过分析师们也承认，这种技术进步可能会对碳化硅材料行业(Wolfspeed、Coherent、罗姆)以及相应器件领域(安森美半导体、意法半导体，英飞凌)构成影响”。

据国内券商研究人士分析，“75%的用量下降”直观上确实会引发大家对碳化硅市场规模前景的担忧，但在不降低系统性能和效率的前提下，特斯拉所谓的较低碳化硅用量的方案，有可能是与硅基器件混合封装的一种低成本方案。

业内人士表示，碳化硅SiC本身优良的物理特性，决定了其未来广阔的成长空间，而且短期来看，即便需求端针对特斯拉销售的SiC器件出货量增速放缓，其他品牌积极拥抱SiC的趋势暂时没有发生变化，且上游原材料扩产受限的情况下，行业成长速度依然是由供给端决定。

注：数据参考英飞凌官网、科创板日报，文章仅供学习和交流之用，如有任何问题，敬请联系我们（wy@ichunt.com）。