民德电子：下半年将开发150V、200V产品 今年SGT-MOSFET有望贡献显著收入增长

集微网消息 近日，民德电子在接受机构调研时表示，广微集成目前主要在售产品 MOS 场效应二极管，因原 6 英寸代工厂业务变动等原因，自去年四季度公司将相关的生产设备陆续迁移至浙江丽水，受此影响，广微集成去年的销售额较前年有所下降，但产品单价有所提升，毛利率基本保持稳定，待后续主要晶圆代工产能（6 英寸）切换至公司参股晶圆厂广芯微电子，产能将大幅提升。

广微集成去年在 12 英寸晶圆代工厂开发的 SGT-MOSFET 产品，60V 系列产品已量产，80V、100V 系列产品已完成工程批并预计今年上半年量产，如进展顺利，下半年将启动 150V、200V 产品开发工作，今年 SGT-MOSFET 产品有望为广微集成贡献显著收入增长。

民德电子作为国内少有的具备硅基和碳化硅功率半导体自主可控供应链的企业，已完成在外延片制造、晶圆制造、超薄片背道加工、芯片设计等核心环节的布局。

晶圆制造广芯微电子项目，一期项目规划产能为 10 万片/月的 6 英寸硅基晶圆代工，同时有部分碳化硅产品产能，目前项目厂房建设及机电安装等工程已基本完成，正在进行生产设备批量进场安装、调试及二次配管工作，预计今年上半年完成通线量产；广芯微电子预计今年量产产品包括——MOS 场效应二极管、900~1500V 高压MOS、IGBT、FRD、碳化硅器件等系列。

超薄片背道加工芯微泰克项目，主要提供硅基及碳化硅中高端功率半导体器件定制化背道代工业务，项目于去年 11 月正式动工建设，目前在进行厂房等基础设施建设，预计今年三季度通线量产。

外延片制造晶睿电子项目，主要产品为 4/5/6/8 英寸的硅外延片，目前在持续扩产中，产能不断创新高；同时晶睿电子二期项目及碳化硅外延项目也在建设中，预计今年量产。