三星12nm级DRAM 明年开始量产
来源:半导体行业圈发布时间:2022-12-221306浏览
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三星电子21日表示，利用12纳米级制程工艺成功开发出16Gb DDR5 DRAM，并在最近与半导体设计企业AMD完成了兼容性测试。
这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%。
采用DDR5标准的新款DRAM最高支持7.2Gbps的运行速度——这意味着可以在一秒钟内处理两部30GB超高清电影。与上一代产品相比，新DRAM的功耗有望节省约23%。
但在全球经济低迷导致存储芯片行情遇冷的背景下，据韩联社报道，三星今年Q3 DRAM销售额环比下滑34.2%。
“业界最先进的12nm级DRAM将成为DDR5市场全面扩张的催化剂，”三星电子内存部门DRAM开发办公室负责人(副总裁)Lee Joo-young说。“能效提升将有助于它为数据中心、人工智能和下一代计算领域的客户提供可持续的商业环境。”
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