18纳米DRAM/128层NAND输中禁令 合肥长鑫长江存储产线断炊

总部在国内安徽合肥的长鑫存储从2016年创立后，快速推进DRAM制程量产，业界传出2022年已在19纳米DRAM量产成功基础上，推进17纳米量产DRAM，预计2023年放量出货。CXMT

在10月16日中共召开20大、习近平拿下第三任期之前，美国商务部于7日宣布数项出口管制新规与强化条款，聚焦在削弱国内业者发展先进制程科技导入军事用途，相较于美国前总统川普雷声大雨点小的作风，拜登总统(Joe Biden)此番祭出的全面性出口管制移动，恐让国内半导体推进倒退数年。

金融时报(FT)报导指出，从美中贸易战走到科技争霸战以来，拜登的抗中策略无疑将遏止国内半导体产业本土化的能力，国内制造2025本土化产能上看7成的目标，恐将破灭，尤其是此番出口管制新规实施后，国内存储器指标大厂长江存储(YMTC)、合肥长鑫存储(CXMT)等，势必将感受到最直接的冲击。

据美国商务部产业安全局(BIS)网站新闻稿显示，美国政府要求设备供应商包括应材(Applied Materials)、科林研发(Lam Research)、科磊(KLA)等美系业者，在向国内本土业者出货16/14纳米(含)以下FinFET制程逻辑芯片设备，以及18纳米(含)以下DRAM与128层(含)NAND或更高层数记忆芯片相关设备之前，必须取得美国商务部许可执照。

此举不仅将危及已经在量产14纳米FinFET制程芯片的中芯国际，也将中断长江存储现有128层NAND量产出货，以及长鑫存储计划从2023年起，从19纳米直攻17纳米DRAM放量出货的原订计划。BIS出口管制设备禁令从公布日10月7日起生效施行。

尽管就程序而言，只要取得执照即可放行出货，但美国商务部也强调，针对国内本土业者向美供应商采购设备而言，BIS 将对申请案采取「推定禁止」(Presumption of denial)原则，亦即若非有证据证明交易行为不会对美国国家安全及外交政策产生不利影响，否则将「一律拒绝」发放许可执照，此举无疑将大大提高长江存储、长鑫存储未来向美采购设备取得许可的困难度。

至于在国内设厂量产存储器芯片的跨国企业而言，BIS将采取逐案审查的方式(case-by-case basis)，根据个案情况做出最后是否发放许可执照的决定，相较国内业者长江存储、长鑫存储等厂，目前在国内量产DRAM的SK海力士(SK Hynix)与生产NAND的三星电子(Samsung Electronics)两大韩系存储器业者，果真如路透(Reuters)日前报导所言，取得18纳米DRAM与128层NAND输中禁令的豁免待遇。

韩系存储器业者国内工厂设备取得豁免于美方出口管制禁令后，以现阶段仍以量产15纳米制程DRAM为主的SK海力士无锡厂，以及三星西安目前重点量产的128层V-NAND，均可望延续量产存储器芯片、供应国内市场所需，不至于蒙受设备断供、产线中断的风险；相较于长江存储、长鑫存储的命运，在某种程度上，的确也类似韩媒先前传出美方替韩厂开后门的报导。

不过，根据彭博报导指出，SK海力士与三星等跨国企业取得的豁免待遇，也必须承担相对应的义务，必须证明这些跨国公司替国内厂房的设备采购，系完全导入自家厂内应用，亦即绝不会落入国内业者手中，否则BIS也将严格执行商务部新规、切断对于既有设备的支持。

责任编辑：梁燕蕙