最新！2022年国产功率半导体选型指南

半导体行业作为国民经济支柱性行业之一，其发展程度是衡量一个国家科技发展水平的核心指标。这已是当下的行业共识。根据Yole数据显示，2019年全球功率半导体市场规模为381亿美元，预计到2022年这一规模将达426亿美元，复合增长率为3.79%。其中，汽车、工业和消费电子是功率半导体的前三大终端市场。

与此同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国。根据Omdia预计，中国在2024年这一市场规模将达到197亿美元，占全球市场的比重达36.6%。就当前国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET 特别是超级结MOSFET、IGBT 等高端分立器件产品，由于其技术难度及工艺复杂度，较大程度上仍依赖于进口。

但值得一提的是，国内功率半导体产业链正在日趋完善，相关技术也正逐步取得突破。由国内领先的半导体电子信息媒体芯师爷举办的“2022年硬核中国芯”评选，汇聚了百余家中国半导体芯片产业的知名企业、潜力企业。本文精选了今年参评的15款功率器件，以期为市场提供优质产品选型攻略。

以下产品排名不分先后

瑞能半导体成立于2015年，公司始终专注于研发行业领先、广泛且深入的功率半导体产品组合，主要产品包括碳化硅器件，可控硅整流器和晶闸管，快恢二极管，TVS，ESD，IGBT模块等。产品广泛应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。

1700V SiC MOSFET采用TO-247封装，主要应用于光伏、电动汽车、储能充电等电力电子系统中。与市场上常见的1500V Si MOSFET相比，瑞能1700V SiC MOSFET的通态电阻有明显优势。其可有效替代反激变换器中使用的Si MOSFET器件，达到简化系统结构，减少BOM成本，提升效率和输出功率的目的。

BYC30W-600PT2-A属于瑞能半导体汽车级快恢复恢复二极管，其采用最新一代汽车级掺铂金工艺，耐压高，漏流低，导通压降低，可靠性高。同比与市场其他汽车级同规格快恢复二极管，软度因子高，即使在高温环境下反向恢复电流过冲和振铃也降低明显，这能明显降低系统整体EMI。可应用于车载充电机（OBC）和电动车充电桩（EV charger）。

翠展微成立于2018年，作为一家中国本土的汽车级功率器件与模拟集成电路设计销售公司，翠展微是国内为数不多的汽车IGBT模块量产供应商，其位于嘉善的IGBT模块产线已通过IATF 16949质量认证体系认证。公司主要产品及服务包括：汽车主电控IGBT模块、定制一体IGBT模块、SIC模块，工业IGBT模块，PIR芯片、TO247单管，汽车底层软件服务等。公司的客户有上汽集团、吉利汽车、比亚迪、江淮汽车、蔚来汽车、小鹏汽车等业内知名企业。

翠展微集成一体化IGBT模块，省去传统标准IGBT模块的铜底板与导热硅脂，降低了40%的热阻，有效提升系统性能及系统可靠性。通过优化封装材料，减少封装界面，实现了散热性能大幅提高。在同等工况下的实测数据显示，传统IGBT模块工作5s后温升达15℃，而翠展微的集成模块工作158s后温升只有3℃。

豪威集团是全球排名前列的中国半导体设计公司，其研发中心与业务网络遍布全球，年出货量超123亿颗。目前，豪威集团已形成了传感器解决方案、模拟解决方案、触控显示解决方案三大业务体系协同、九大行业应用并举的多元化发展格局，助力客户在手机、安防、汽车电子、可穿戴设备，IoT等领域解决技术挑战，满足日与俱增的人工智能与绿色能源需求。

低容TVS ESD63091CN是一款双向TVS产品，其采用DWN1006-2L封装，可满足轻薄小巧的便携式电子产品对于组件封装的严苛要求。耐直流高压，防护能力强，结电容低，使用时可并联在被保护信号电路两端，具有精确导通、快速响应、浪涌吸收能力强等特点，主要应用于USB D+D-信号线的瞬态过压防护。

英锐芯成立于2010年，是一家专业从事集成电路设计开发、流片、封装、测试、销售为一体的国家高新技术企业。目前拥有“IDCHIP”、“英锐芯”等自主国产品牌和多项发明专利，公司主营业务为：集成电路的设计研发、封装测试以及自主品牌集成电路销售，芯片成品主要涉及安防监控、智能家居、医疗电子和汽车电子等领域。

AD2018A应用电路简单，只需极少数外围器件，输出不需要外接耦合电容或上举电容和缓冲网络，可以通过控制进入关断模式，从而减少功耗。内部具有过热自动关断保护机制。该芯片主要应用于手提电脑、台式电脑、扩音器、蓝牙音箱等产品上。

群芯成立于2018年，是一家专注于光耦和光传感产品研发与集成电路应用的产品公司，其主要产品包括光电耦合器包括晶体管光耦、高速光耦、可控硅光耦、门驱动光耦和光继电器等，是国内提供光耦产品种类最为丰富的企业。产品陆续通过CQC、UL、VDE、IATF16949等多项国内外产品品质与安全认证。

QXV258输出的是MOS，负载电流为20mA，输出开关两端关断耐压为1500V交流峰值，原副边两侧隔离电压更是高达5000V。产品可广泛应用于新能源汽车充电桩、BMS等，同时在电力设备上用来做小电流高电压控制器上的信号控制。另外，还可用在电信设备、仪表数据、数据传输设备电源数据的采样和监控。

扬州晶新成立于1998年，是国家级高新技术企业，专业从事半导体分立器件芯片的开发、设计、制造和销售，并承接双极型集成电路芯片的设计和代工业务。目前，公司拥有4英寸、5英寸、6英寸芯片生产线、晶闸管生产线等，主要产品有：小信号晶体管芯片、功率晶体管芯片、开关晶体管芯片、达林顿晶体管芯片、数字晶体管芯片、晶闸管芯片、开关二极管芯片、稳压二极管芯片等。

公司高频功率器件芯片采用IDM模式生产， 产品参数性能稳定可靠，可实现国产替代。产品具有独特的芯片结构和表面保护技术，具有高频特性好、开关速度快、功率耐量大等特色，广泛应用于计算机、通信、新能源、汽车电子等领域。同时，还具有卓越的性能价格优势，市场覆盖面广，占据国内主流市场，同时出口日本、韩国、欧美等国家。

晶扬电子成立于2006年，是国家高新技术企业，多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的IC DESIGN HOUSE。主要产品包括ESD、TVS、LED显示驱动芯片、MOS管、二三极管、电源管理芯片（DC-DCAC-DCLDOUSB POWER/LOAD SWITCH）、通用型及高精度电压基准芯片、数模混合IC等产品。应用领域涉及电脑/笔记本、网络通信、手机、智能穿戴、工控、新能源汽车、车载等。

TT0341SA适用于高速接口USB 3.2，HDMI端口，常见于手机、电视、家电，电脑，监控设备等防护。其具有超低容值（最低0.13pF）、超小封装（CSP0402）、超低钳位电压。其应用领域主要有电脑运算、安防工控、网通产品、汽车电子、绿色能源、消费类电子等。

TT0541SA适用于高速接口USB 3.2，HDMI端口，常见于手机、电视、家电，电脑，监控设备等防护，具备超低容值（最低0.13pF）、超小封装（CSP0402）、超低钳位电压。在技术创新上，其新型平面工艺已达到世界先进水平，具有更低的触发电压，更大的脉冲峰值电流。应用领域主要有电脑运算、安防工控、网通产品、汽车电子、绿色能源、消费类电子等。

诚芯微成立于2009年，公司是一家专注于模拟及数模混合集成电路研发、设计和销售的高新技术企业，其主要产品包括电源管理芯片、电机类芯片、MOSFET和电池管理芯片等多种集成电路产品。可广泛应用于汽车电子、通用电源、个人护理家电、3C类产品等多个领域，满足不同下游市场的多样化需求。目前，公司已成为我国主要的全方案电源管理芯片供应商之一，可为客户提供完整的系统解决方案。

该芯片是一款集成单节锂电池充电管理功能、按键检测功能的马达驱动专用芯片，可通过调节外部电阻来调节充电电流大小，内置两种按键控制模式。此外，其还内置输入过压保护，过充保护，过温保护，电池欠压保护，马达堵转及短路保护，具备应用极简，性能卓越，稳定可靠等特点。

浙江芯麦成立于2021年，是国内模拟和数模混合IC领先的设计企业，专业从事各种驱动IC的设计、生产和销售。自成立以来，公司产品已涵盖有刷直流电机、无刷直流电机驱动、步进电机驱动等几十个品种。公司结合自身十多年模拟与混合IC设计经验，与国际一流的芯片代工厂、封装测试代工厂保持密切配合与合作，严格控制产品质量，保证产品的优质品质和稳定供货。

GC1267是一款单相双极驱动电机预驱动器，具有与外部PWM信号兼容的变速功能。只需少量外部零件，即可实现高效、静音、低功耗的可变驱动风扇电机。本产品适用于驱动需要大气流和大电流的服务器以及家用电器的风扇电机。

GC4938是一款三相无刷直流电机预驱动芯片，芯片可驱动N型功率MOSFET，最高电源36V。芯片状态切换逻辑受三个相位差为120°的霍尔输入确定。芯片集成固定衰减时间的脉冲调制来控制电流并且抑制励磁涌流。其中还加入独特的降噪功能，解决电机低速时的高频啸叫声。该芯片可应用于服务器大功率散热风扇、电脑主机散热风扇、CPU散热风扇等。

泰科天润成立于2011年，公司专业从事碳化硅器件研发与制造，并提供应用解决方案。目前已通过IATF16949体系认证，基于自有晶圆厂，泰科天润开发出先进特色工艺，并向市场推出丰富的碳化硅器件产品。公司产品规格范围覆盖650V-3300V（1A-100A）等多款规格，产品已批量应用于光伏逆变器、充电桩、OBC、车载DC-DC、通信电源、高端服务器电源等领域。

泰科天润优化了器件设计和生产工艺，首创史上最小碳化硅功率器件G51XT（650V1A），其采用SOD123封装，大大降低了器件体积，满足客户对高频ACF，高频DC/DC电路等应用场合的需求。该产品可应用于高频ACF，小功率GaN适配器，驱动部分自举电路，高频DC/DC电路等应用场合。

派恩杰成立于2018年，公司专注于第三代半导体的设计与推广，拥有深厚的技术积累和全面的产业链优势。其在650V，1200V，1700V三个电压平台已发布100余款不同型号的碳化硅二极管，碳化硅MOSFET，碳化硅功率模块和GaN HEMT产品，可为客户提供全方位的选择和技术支持。量产产品已在电动汽车，IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用。

1200V17mΩ SiC MOSFET针对电动汽车主驱逆变应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极单和，低级的导通电阻，正面镀金适用于双面银烧结的水冷模块应用。SiC MOSFET由于具有更小的开关损耗，对主驱性能有大幅提升，同时采用第3代工艺，缩小芯片面积，节约成本。

华太成立于2010年，是一家集半导体器件与工艺开发、芯片设计、芯片封装、材料研发和制造为一体的高新科技企业，公司以射频芯片和功率芯片业务为主航道，专注于射频、功率、SoC、材料四大产品线的开发，聚焦万物互联和数字能源两大应用领域。未来，华太将专注突破半导体核心技术，深耕移动通信、电动汽车、光伏储能、射频终端、工业科学医疗等领域。

华太拥有高鲁棒性且高性价比的先进超结IGBT结构技术，可提供优越的通态损耗和开关损耗性能与高可靠性, 提高逆变器功率密度。华太超结IGBT技术开关损耗低，工作频率高。在提高开关速度的同时保持低通态压降，多项技术指标国际领先，已在大客户量产发货。该产品具有更优化的导通压降与开关损耗折中曲线及可靠性，适合于高效率场合应用如光伏逆变器、储能、充电桩、UPS、OBC等应用。