前紫光副总裁高启全:Chip 4目的在于“卡中国”；亿智电子携硬核芯品亮相IIC；英诺赛科亮相2022夏季亚洲充电展

集微网消息，近日，前华亚科技董事长、前紫光集团副总裁高启全接受中国台湾地区的《经济日报》采访，对chip 4发表观点。高启全认为，Chip 4一旦成形会使中国大陆半导体发展之路愈加艰困，但不受限的中低端还有发展空间。

近日，美国邀请台日韩筹组“芯片四方联盟”（Chip 4）一事引发业界关注，高启全认为，Chip 4目的在于“卡中国”。他表示，芯片法案鼓励全球半导体厂商前往美国制造并获得补助，但补助条件是十年不可前往中国大陆开展先进制程业务。这意味着，一旦三星、SK及台积电接受美国芯片法案的补助，原有在中国大陆的工厂可继续生产，但未来不能升级。就韩国而言，其存储芯片产品倚赖最先进的技术，三星与SK若接受美国条件，将承受较大冲击。

高启全认为，从目前Chip 4的推进进度来看，较中低端制程不会限制，不过，一旦美国抑制芯片三部曲齐出动，中国大陆短期内会因制造设备与材料受限而难以追赶。高启全表示，除了芯片法案与Chip 4，美国围堵中国大陆半导体产业还有一项重要措施——限制关键设备输往中国大陆。从2019年起，荷兰商ASML在美国压力下不再销售EUV设备给中芯国际。近期美国商务部也正在研议，禁止14纳米制程DUV设备输往中国大陆，并管控设计高端芯片所需的电子设计自动化（EDA）软件输送至中国大陆。如果14纳米以下设备被限制，中国大陆的晶圆制造会在先进制程部份将持续落后三星、英特尔、台积电等，存储芯片的部份也会受限。

高齐全表示，Chip 4对于参与者有一定的负面作用。美国跟日本掌握全球大部份半导体设备跟材料，结盟让中国大陆受限，可是做这些设备跟材料的企业，若不能出货到芯片，自己也会受限；韩国跟中国台湾要加入，本身也会受很大影响。韩国若去拿美国芯片法案的补助，就代表它的芯片工厂不能再升级，参加后贡献有限，以后还会可能被中国大陆芯片踢掉。中国台湾也不会受惠，甚至还会受限。因为中国台湾企业有很多客户在对岸，Chip 4一旦成形，供应链会分得更清楚，未来要看贡献度在哪，目前看起来只有美日较明确。

高齐全认为，Chip 4还要商谈很久，未必会按美国预期而成形。中国台湾就是否与美国合作芯片、排挤中国大陆的相关事宜，应持犹疑态度。

高启全表示，中国大陆未来就低端芯片制程领域，将与联电、力积电、世界先进等二线厂竞争。在14纳米以上的芯片逻辑产品需求量很大，相关工厂以生产中低阶产品为主；高端制程上，中国大陆的厂商敌不过三星、英特尔、台积电，所以未来跟芯片对打的竞争对手，反而会变成联电、力积电、世界先进等二线厂。“我在芯片行业多年，中国大陆并不弱，是很多人以为中国大陆芯片很弱”高启全最后表示。

2、亿智电子携硬核芯品亮相IIC，为端侧AI繁荣生态持续赋能

集微网消息，近些年，我国人工智能产业飞速发展，已渗透进人类社会生活的多方面，AI芯片在人工智能产业中占据核心位置，拥有巨大的产业价值和战略地位，是实现人工智能技术的重要基石。

AI芯片应用场景日趋多元化，在智能安防、智能汽车、智能家居、移动终端等领域得到广泛欢迎，国内市场规模明年也有望破千亿元。

作为端侧AI芯片领域的重要玩家，亿智电子日前亮相2022国际集成电路展览会暨研讨会（IIC），重点展出了SV822/SV820系列等热门产品。

发力：推出硬核芯品

近些年来，“AI+安防”崛起，其落地也得到了国家及地方政府的高度重视。2016年印发的《“互联网”人工智能三年行动实施方案》中明确提出“将智能安防作为人工智能产品创新的重点应用推广领域”。这一年，也被不少人看作AI安防元年。

在AI技术的赋能下，安防行业不断更新升级，智能安防发展如火如荼。Omdia数据显示，安防智能化加速推动全球AI SoC芯片营收的快速增长，预计将从2020年的4亿美元提升至2025年的28亿美元。

察势者智，驭势者赢。在智能安防领域，亿智电子的步伐已逐渐走在前列，开发出一系列产品。

其中，亿智电子去年推出的SV826 / SV823系列采用智能H.265+编码技术，支持最高4K超高清视频录像；同时集成专业安防级别的ISP，支持2-3帧宽动态融合和自适应降噪，在逆光和低照度环境下表现出色；并搭载亿智第二代自研NPU，提供1.5T/1.0T智能算力。

凭借超强的产品性能，SV826这一“新秀”推出不久即广受认可与好评，接连获评“2021年度珠海市最佳集成电路技术创新产品”、“2021年度珠海市科技创新产品”、安博会产品评选最高荣誉“金鼎奖”、“年度最佳AI芯片”等诸多荣誉。

SV822和SV820芯片是今年亿智电子在智能安防场景的最新“妙手”——降本不降质，拥有专业安防ISP图像质量；内置DDR，支持3Mp/5Mp硬件Pin to Pin、快速启动和出图，实现低功耗应用。

亿智电子表示，该系列是一款普惠型AI芯片，集成0.5T自研NPU，支持人形/人脸检测、人脸抓拍/识别、车辆/哭声/异响检测等智能算法。适用于AI-IPC、智能门铃猫眼、AI UVC等多种智能终端设备，将有利于推动智能家居/智能办公/智慧乡村等AI应用场景规模落地。

专注：攻坚三大方向

2016年，谷歌的人工智能围棋程序AlphaGO战胜了韩国选手。AlphaGO是第一个战胜围棋世界冠军的人工智能机器人，这次事件引发了大众对于人工智能的热烈讨论，此后不久即有消息指出韩国将在人工智能领域投入30亿美金来加速研发。

亿智电子透露，“当时创始团队敏锐地洞察到，这和以往AI只能在实验室不同，AI技术已经可以应用在一个实实在在的产品或者领域中，因此决定走AI的道路，为AI设计芯片。SoC for AI，让AI技术更easy，让行业产品更智能。”

亿智电子也是在这一年成立的，一“出世”即将目光瞄准AI赛道，面向带算力的智能化市场，做一家端侧通用的AI算力平台企业。“战略是舵，舵正则航自远”，亿智电子自成立伊始便对公司有着清晰的定位与规划，持续围绕智能安防、汽车电子、智能硬件三大应用领域赋能产业，提供AI芯片+算法+系统的全栈式解决方案。

在智慧安防及智能车载领域，亿智电子主要是芯片+算法（场景）打包交付；AIoT领域主要交付的则是芯片+工具链，支持行业产品AI升级。

具体来看，在汽车电子领域，面向“两客一危”等商用车，亿智AI芯片已经广泛应用在智能视频部标机、AI货车记录仪等，可支持车道监测、前后向车辆监测、前向行人、自行车检测和车内驾驶员监测等智能化安全系统。

在AIoT领域，亿智AI芯片支持人脸识别/跟随，手势识别，OCR等AI算法，已成功助力智能云台、扫译笔、USB 摄像头等智能终端落地。

经过多年耕耘，目前，亿智电子已与超3百家客户开展开发合作，赋能智能终端品类数十种，在AI产品的落地品类、落地规模在市场上处于相对领先的地位，可满足客户持续迭代智能终端产品的需求。

坚守：自研核心技术

目前，AI的产品仍属于新兴事物，对于AI客户和算法公司都存在难点，例如负责AI加速运算的NPU（神经网络处理单元）尚无行业标准，客户需求和算法公司算法的一致性也比较低。此外，数据采集、算法训练、嵌入式设备算法迁移也都是当前AI行业普遍的痛点。

为了解决这些关键问题，亿智电子集中攻关、寻求突破，举例来看，该公司打磨了一套成熟易用的工具链去支持第三方AI算法的移植，让客户的算法移植从几个月最快能缩短到一周。同时，依托全行业的场景经验和资源，也有助于其不断地优化工具链和平台性能。

有志始知蓬莱近，秉承着“为万亿设备智慧赋能”的信念，在深耕AI芯片领域多年后，亿智电子目前已成长为业内少数同时具备AI的IP自研能力以及SoC芯片设计能力的AI芯片公司。

自研核心技术是亿智电子自成立以来便坚守的事情，在亿智电子来看，自研IP在场景化的设计优化之后可以实现更优性价比、性耗比、性能带宽比的落地应用产品。

基于此，亿智电子以锲而不舍、弛而有息的劲头，踏石留印、抓铁有痕的态度，始终坚持NPU、ISP、音视频编解码、显示及图形处理、高速数模混合接口等IP的自研，PPA(Performance/Power/Area)指标出色，IP自主研发也已逐渐成为其显著优势和核心竞争力之一。

在视觉AI场景，NPU解决“看得懂”的问题，亿智电子于2019年发布了基于自研NPU的端侧推理AI SoC芯片。目前，亿智电子自研架构NPU已迭代至第三代，支持INT8/INT16/INT32等不同精度的计算，同时覆盖低中高不同算力，可以异构支持多核计算，结合应用场景深度优化带宽功耗性能。

经过三年来市场大规模量产验证，亿智自研NPU成熟易用，提供自主适配NPU编译器，包括量化、离线部署和在线部署，适应不同的开发需求，支持算法快速移植，对开发者生态提供有力的技术支持。

不忘来时路，阔步新征程。未来，亿智电子将继续完善产品布局，推出基于12nm制程的产品，以满足合作伙伴对高性能规格、边缘端的产品需求，努力为实现“万花齐放春满园”的端侧AI繁荣生态之景添砖加瓦。

3、英诺赛科亮相2022夏季亚洲充电展：产品在多领域取得重要突破，致力于产业协同发展

集微网消息 8月16日-8月18日，2022（夏季）亚洲充电展在深圳福田会展中心举行。随着以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体在各类应用场景中大放异彩，业界对其关注度与日俱增，与之相关的展商也因此成为本届展会上一大亮点，英诺赛科作为国内氮化镓领域具有代表性的企业也受邀参加本次大会。

集微网从展会现场获悉，英诺赛科此次不仅展示了由该公司量产的8英寸硅基氮化镓晶圆，还携公司2022年推出的40V/15mΩ、100V/3.2 mΩ、150V/7 mΩ等多款全新产品一同亮相。众所周知，英诺赛科是全球唯一一家同时量产高低压（30V到650V）氮化镓器件的公司。从产品端实现了全链路高效、高频、高密度，应用层面囊括消费电子、LED、新能源汽车、数据中心等多个领域。

展会同期举办的2022（夏季）全球第三代半导体产业峰会上，英诺赛科产品应用主任工程师杜发达还发表了以《敢为人先，共建氮化镓“芯”生态》为主题的演讲，向业界展示了公司的现有成果及未来规划；此外，英诺赛科产品应用副总陈钰林在圆桌论坛上也分享了自己对第三代半导体产业发展方向及目前行业痛点的见解。

氮化镓市场未来可期

在时下的社会环境中，数字化、智能化趋势几乎无孔不入，与此同时，我们也在不断强调对绿色能源的倡导。两者相互碰撞下，就产生出“更高效、更节能、减少碳排放量”的需求。然而固有器件性能已经逐渐逼近物理极限，第三代半导体也应运而生，并且多个领域崭露头角。

英诺赛科产品应用主任工程师杜发达指出：“从材料上看，氮化镓在临界击穿场强、禁带宽度、饱和电子漂移速度等方面是远远优于硅材料的，这使得氮化镓器件与传统Si MOS 相比，具有高频节能的特性，氮化镓的这些特性能够为数据中心、新能源汽车、储能等新兴领域提供具有颠覆性的解决方案。”

据集微网了解，英诺赛科目前共有珠海、苏州两大生产基地。其中珠海基地目前月产能为4000片，当前处于满产运行状态；苏州基地于2021年6月正式投线运行，目前月产能为6000片，该基地满产后的产能将达到65000片。

一直以来，英诺赛科也在致力于关于器件可靠性的提升。通过建立包含了HAST、TC、HTGB、HTRB、THB等多个测试项目的完善的可靠性实验室，来实现对器件可靠性的保障，确保产品能实现稳定、可靠、长期的运行。与之并行的，还有该公司设立的失效分析实验室，能够对产品进行完整的电性、化学和物理分析。从多个维度对产品进行严格把控，也能够让该公司产品实现快速优化升级。

同时，英诺赛科在全国多地设有产品应用和销售中心，今年上半年，该公司还在美国、欧洲设立分公司，并与国际一流厂商展开深入合作，为客户提供从30V-150V及650V的高低压全功率芯片的解决方案。

目前，英诺赛科的氮化镓器件出货量已突破1亿颗，量产客户超过300家。

在快充领域，该公司的高压系列器件已经进入到手机标配大功率快充，并受到头部电商品牌青睐。而ALL GaN方案是其推出的在原边、副边均采用氮化镓器件的方案，通过这样的设计使整体方案更加小型化、系统效率实现更高的提升。在智能手机领域，该公司还联合了全球主流厂商将氮化镓器件应用于手机主板当中，使得主板布局设计更简洁，整体效率更高。在车载激光雷达领域，英诺赛科的产品也在多家客户实现量产。

然而想要推动氮化镓产业的进步和发展，需要整个产业链的共同努力。

因此，杜发达在演讲中也呼吁：“随着氮化镓应用领域的不断扩展，机遇与挑战并存。目前氮化镓在快充等领域，已经证明了它的巨大优势，但还远未完全释放氮化镓的潜力。更进一步的发挥氮化镓的优势，需要的是包括驱动、控制器、磁性元件、封装等上下游产业生态链的协作，英诺赛科也一致致力于产业协同发展。当前这个时间节点，对氮化镓器件来说是一个黄金时代，我希望在这种芯时代、芯机遇面前，上下游企业也能够一起合作共赢，共创芯未来。”

行业应共建友好生态

受益于手机快充需求放量，氮化镓市场规模也呈高增长趋势，与此同时，新能源汽车、5G通讯等领域基于技术发展，衍生出更多对高频、高效、高功率的需求，为氮化镓的发展创造更广阔的发展空间。不过在市场及产业快速发展的过程中，摆在企业眼前的有机遇、亦有挑战。

针对产业目前面临的现状，英诺赛科产品应用副总陈钰林先生认为：“从市场层面，我们看到今年在消费、汽车应用领域的进展是非常快的。不过这也仅仅是一个开始。由于氮化镓本身高频高效节能等特性，它在智能手机，笔记本，数据中心、无人机、新能源汽车、电网、储能等众多新兴领域都将带来革命性的解决方案。氮化镓将出现在我们未来生活中的方方面面，它将改变我们的未来。”

“其次是挑战方面，我们现在在推的工业和汽车板块所面临的挑战完全不同于快充领域，首先，功率大幅增加，封装成为产业急需进行研讨的重点之一；其次是在汽车、工业领域，对器件的使用寿命、可靠性都有更高的要求，对我们来说也形成了一些新的认知，需要在接下来几年时间去逐步接受和突破。”

市场蛋糕越大，吸引的企业数量也就越多，这样高速增长的需求量，同样也会给产业、产能格局带来变化。

“我们看到其实无论是碳化硅还是氮化镓，现在在性能上还有很大的提升空间，这时候就需要我们对产品进行不断更新迭代，凸显产品优势。在整个过程中，一定会涌现很多参与者，如果公司实力和资源不够强大、丰富，是没办法推动产品进步的，这个阶段其实就需要进行一些并购，也就是集中力量做大事。”

另外对于是否会出现产能过剩的问题，陈钰林先生认为：“相信只要我们产品性能做得足够好，效率足够高，并且把综合成本整体降下来，市场在往前发展的同时，一定会推动产品进步，而产品的不断进步也能够把市场继续扩大，两者之间是一个相互促进的作用。”

陈钰林先生还指出，其实在氮化镓产业发展的过程中，它存在的困难以及企业首要思考的可能始终是一点——在产品迭代时要不断提升器件性能。

“首先我们从理论水平推出来，每一代产品在迭代后的性能都有30%-40%提升，但第一个做这个研发的企业背后需要投入大量的人力和资源才能有机会达成，其次是在大功率、高可靠性应用领域，整个测试的投入量会变得很大，所以很少有企业敢于做中长期的规划，我认为这是今天能否推动行业进步的关键因素之一，这些需要企业具有一定的先驱性，包括芯片公司、应用方案公司，甚至客户，多个环节的企业一起共同推动产业的发展和进步。”

写在最后：

在终端升级和节能减排两大主流趋势并行的背景下，氮化镓产业正呈现出蓬勃发展的状态，英诺赛科围绕“技术、产能、应用”三个维度打造的竞争优势，也为其浇筑了更广阔的发展空间，在市场、产值同步扩大的基础上，企业本身亦能不断向上突破。

与此同时，集微网也期待看到更多这样的优质企业。众人拾柴火焰高，只有上下游厂商合作发力，将各个环节打通，才能够共建一个健康向前、良性发展的氮化镓产业生态。

4、【芯视野】 RF-SOI：毫米波时代射频前端的终极答案？

集微网报道 RF-SOI技术的“出镜率”并不算高，但作为一种重要的射频芯片材料技术，它已经无处不在。正如Soitec移动通信部门高级业务发展经理Luis Andia所指出，“日常生活中的很多设备上都有RF- SOI的身影，还有每天使用的物联网设备上，如智能耳机、手表等，而且不限于蜂窝通信，蓝牙、Wi-Fi以及超宽带UWB背后都有其存在。”

RF-SOI已经占据了整个SOI市场最大的份额，由于各种便携设备对射频前端的需求激增，这个份额还会继续扩大。尤其是在射频器件面临着更宽的频谱和更高的数据传输速率这两大挑战时，拥有优异特性的RF- SOI正在成为厂商实现创新、节能和高效解决方案的重要选择。

起飞和加速：两个重要节点

图 RF-SOI在智能手机中的变迁（数据来源：Soitec）

据Luis Andia介绍，RF-SOI首次进入智能手机是在2010年，当时只有RF-SOI可以满足智能手机对高性能开关的需求，因此很快就被应用到射频开关和其他一些射频前端控制器件中。

射频开关是射频系统中的关键器件，对无线信号起到通路选择（路由）的作用。制造射频开关传统的材料是GaAs，优点是射频性能好、击穿电压高，缺点是成本高、难于集成。与之相对，RF-SOI可同时提供优良的射频性能和低廉的成本，并且易于集成，因此逐渐取代了GaAs和更为昂贵的蓝宝石上硅（SOS）技术。

在2016年，随着LTE技术演进而来，出现了更多复杂的射频模块，RF-SOI也随之被应用到天线调谐器以及更多的射频开关当中。而到2018年时，用RF-SOI技术制作的低噪声放大器（LNA）也开始出现。整个RF-SOI产业链开始呈现爆发的趋势。

迦美信芯董事长倪文海认为这得益于RF-SOI具有开发和制造上的独特优势，“除了采用特殊的SOI衬底之外，RF-SOI的工艺和IC设计流程，跟一般Bulk CMOS工艺线非常相似；由于采用12英寸衬底，其成本比传统的P-Hemt工艺低很多，而相对于GaAs, 其集成度则更高。”

倪文海指出RF-SOI是设计开关、LNA的理想工艺线选择，“95%以上的开关采用了RF-SOI；LNA中还有少数厂家采用SiGe或P-Hempt工艺，所以使用率应该在85-95%左右，也属于占据绝对统治地位。”

进入5G时代以后，RF-SOI更加如鱼得水，不但稳固了5G Sub 6GHz频段射频开关的主流工艺地位，还将更多射频器件纳入势力范围。据统计，RF-SOI 器件的比例正在不断增加，Sub-6GHz频段中，RF-SOI含量比4G要高出60%。

沪硅产业相关人士（下称沪硅产业人士）指出其中原因，5G技术大幅度增加了射频前端模块的复杂性，相关射频芯片的数量需求也相应上升，从而导致市场对RF-SOI的需求大幅增长。

Luis Andia亦表示：“5G时代，手机需要更复杂和更高集成度的射频模块，除射频开关和LNA外，接近100%的天线调谐器也在使用RF-SOI技术。”

不仅如此，RF-SOI还开始渗透更多的领域，“除了手机之外，各类基站、WI-FI和部分IoT终端设备等，都会使用基于RF-SOI衬底的芯片。”沪硅产业人士表示。

应用和技术：双维度进化

向毫米波频段延伸将是5G发展不可逆的方向，将给RF-SOI提供继续成长的动能。

从特性进行分析，RF-SOI有着完美适配毫米波通信的几大优势。首先，RF-SOI工艺支持的工作频率很高，Ft/Fmax满足毫米波工作频率3~5倍的要求；第二，RF-SOI可以实现器件堆叠（device stacking），可同时提高功率与能效比；第三，RF-SOI工艺采用的衬底降低了寄生效应，制造出来的射频芯片品质因数更高、损耗更低、噪声系数更好；最后，RF-SOI具备后栅极偏压可调（Back-gate bias）功能，利用该功能可微调毫米波射频线路以适应使用需求。

沪硅产业人士相信毫米波通信将会给RF-SOI提供更多机会，“未来毫米波方案可能会要求基站密度较大、传输距离相对较短，对传输信号的功率要求相对较低，从而给射频前端芯片进一步集成PA等器件带来机会，而这会带来市场对RF-SOI衬底材料的需求提升。”

从RF-SOI本身而言，不断的进化也使其具备了应对高级别挑战的条件。在2G和3G时代的射频开关中，广泛使用的RF-SOI是HR-SOI（HR指高电阻率），这种衬底显著降低了电阻率损耗和串扰。

但是，HR-SOI缺陷同样明显。当晶体管功率增加时，在埋层氧化物（BOX）和HR衬底之间会产生寄生电荷，其电阻率会降低，线性度也会随之降低，最终导致信号失真，这对于 5G 时代的高集成模块绝对是一个重大挑战。要解决这个问题，就需要在BOX和HR衬底之间加入工程层，其中包含高密度的电活性陷阱。

这个工程层就是富陷阱层。Luis Andia指出，通过富陷阱层，能够捕捉氧化埋层以及高电阻操作层中游离的寄生电荷（parasitic charge）。这样保证了衬底有非常高的电阻率，进而带来极高的线性度，不仅仅是为晶体管，也包括其他的无源器件。

图 HR-SOI与RFeSI-SOI的对比（数据来源：Soitec）

加入富陷阱层的RF-SOI包括RFeSI SOI和iFEM-SOI（两者区别于富陷阱层的厚度），均可以实现更高的线性度和隔离规范，使设计人员能够满足最严格的射频规范要求。

“由于富陷阱层能实现非常好的隔离，不管是数字信号还是模拟信号，即便是在这个非常复杂的5G 毫米波射频前端，也能够实现隔离，从而防止信号串扰。”Luis Andia表示。

图在汽车TCU中的多射频系统（源自Soitec）

隔离度增加同时意味着RF-SOI进入了汽车电子系统，一个典型实例就是汽车中的TCU（远程信息处理控制单元），其中采用了多个基于RF-SOI的射频系统。Luis Andia表示：“当代汽车对于连接性的需求和依赖程度更高，不仅要使用蜂窝网络，也非常依赖V2X的连接，还要使用专属的近距离通信系统，包括Wi-Fi、蓝牙等，而使用RF-SOI就可以让几种不同的射频系统在内部和谐共存。”

衬底和代工：产业链的源泉

根据Gartner的数据，2020-2021年全球SOI市场规模略高于10亿美元，预计未来5年将增加一倍以上。RF-SOI目前占据了其中的6成，随着射频技术的不断进步，未来整体产能与市占率有望继续扩增。

如同水坝之于河流一样，最上游的衬底材料和晶圆代工对产业发展起到了至关重要的作用。当前的SOI衬底供应商主要有法国Soitec、日本信越(Shin-Etsu)、中国台湾地区的环球晶圆、同为沪硅产业子公司的上海新傲和芬兰Okmetic，以及日本胜高(SUMCO)等。其中，Soitec是绝对的市场龙头，掌握了核心技术和主要市场份额。仅在RF-SOI衬底市场，Soitec公司就拿走了70%的全球市场份额，可以供应8英寸和12英寸的RF-SOI衬底，信越公司和环球晶圆则紧随其后，分别位列RF-SOI衬底供应商的第二和第三名。

Luis Andia告诉集微网，Soitec一直在致力于提升产能，“我们最近有2项新的产能提升计划，一个是位于法国的200mm碳化硅工厂，目标是每年生产50万片；同时还有位于新加坡的年产100万片的300mm晶圆厂，可以用于生产不同类型的优化衬底产品，比如RF-SOI和FD-SOI。”

据Soitec最新的财报，其RF-SOI衬底的增长主要来自于12英寸衬底，原因就是新加坡工厂产能持续放量。

国内的SOI衬底在多年发展后也初具规模。据沪硅产业人士介绍，新傲科技和Okmetic均是国际8英寸及以下尺寸SOI硅片的主要供应商之一，技术处于全球先进水平。新傲科技提供了国内目前所需的8英寸RF-SOI衬底，同时还在为国外的主流Fab厂批量供货。2022年，新傲科技已完成200mm SOI生产线扩容，产能由3万片/月提升至4万片/月，以更好地满足射频等应用市场需求的持续上涨。

沪硅产业人士也指出，国内目前还没有12英寸SOI衬底的产能，新傲科技的12英寸产能建设正在如期推进中，国内市场的需求暂时由国外衬底厂商提供。

在晶圆代工方面，格芯、Tower Jazz（被Intel收购）、三星、ST、联电、华虹宏力与中芯国际是主要供应商。据业内人士介绍，格芯与Tower Jazz同属RF-SOI代工第一梯队，但Tower Jazz更胜一筹，其位于以色列、美国和日本的晶圆厂均能支持当前主流工艺，总产能更是排名第一。

相对而言，国内的RF-SOI器件生产制造能力比国外仍有不足，8英寸仅有少量产品，且主要用于低端。

好消息是，国内追赶的步伐正在加快。沪硅产业人士表示，“从2021年开始，国内的好几家12英寸Fab厂已开始布局12英寸的RF-SOI工艺平台，瞄准55nm-65nm节点，旨在赶上国外工艺技术水平，目前各工艺平台均在开发周期中。”

结语

不同通信系统的融合正在加速，促使射频前端的模块化成为趋势，同时也带来两大挑战：一是温度管理，二是干扰。

对于前者，可以用能量密度更高的GaN来化解，后者则可以用RFeSI和POI来应对。所以，RF-SOI足够优秀却不能包治百病，面对越来越复杂的射频系统，只有多种技术相互补充，才能呈现最完美的解决方案。

这就好比SOI同FinFET的关系一样，虽然没能成为先进工艺的正选，但正是因为SOI的别样发展，才让MorethanMoore不是一句空话。

5、【芯视野】遏制中国电动汽车供应链最大“杀招”：美国自欺欺人的《降低通胀法案》影响可控

集微网报道，继“芯片和科学法案”正式生效后，美国的《2022年降低通货膨胀法案》（the Inflation Reduction Act of 2022，IRA）近日再掀波澜。

美国总统乔·拜登于当地时间8月16日正式签署该法案后，称这是“美国历史上最重要的法案之一”。但该法案却被质疑“张冠李戴”，以及参议院51：50的表决结果背后也折射出矛盾重重。

另据宾夕法尼亚州沃顿商学院预算模型（PWBM），美国人对这一法案之于通胀产生任何影响的信心普遍很低。美国国会预算办公室（CBO）则称，该法案在短期内几乎不会对通胀产生影响，甚至可能推动通胀上行，即2023年将使通胀率比目前低0.1个到高0.1个百分点。

与此同时，据《纽约时报》的报道，法案中引起最多投诉的一项要求是：

2023年，电动汽车电池中至少有50%的部件来自北美才能获得税收抵免。到2028年后，这一比例将上升到100%。另外，电池中关键矿物必须来自美国或贸易盟友的比例将在2027年攀升至80%。

那么，《降低通货膨胀法案》将对国际电动汽车电池供应链意味着什么？

恶意打压中国电动汽车供应链意图暴露

美国本次通过的《降低通货膨胀法案》，是对2021年拜登政府提出涉及3.5万亿美元资金的《重建美好未来法案》(《Build Back Better Act》)的延续和补充。后来几经波折、谈判和修订，这项法案的资金最终降至7370亿美元，并更名为“降低通货膨胀法案”。

这也引起部分美媒和学者愤愤不平。例如彭博社援引佛罗里达大学新闻学院教授Angela Bradbery的话表示："将有史以来影响最大的气候立法称为'降低通货膨胀法'，这可能比任何事情都更令人困惑。"

诚然，通货膨胀和汽油价格是当今大多数美国人最关心的问题。随着中期选举的临近，民主党试图以“法案之名”告诉选民他们正在努力控制通货膨胀。

而在这样的法案式微和政治操弄背后，《降低通货膨胀法案》逐渐演变成了美国迄今为止遏制气候变化影响的最重大努力，即拨款3690亿美元用于推动向太阳能、风能和其他可再生能源的转变。

这一金额远远高于用于延续平价医疗的640亿美元和加强西部地区抗旱的40亿美元等。

美国《降低通胀法案》概要图源：美国参议院网站

然而，该法案指出，为了获得税收抵免资格，电动汽车制造商必须在北美完成车辆组装，并从美国或与其有自由贸易协定（FTA）的国家采购相当比例的主要电池部件，包括锂、镍和钴等金属。

简要概括，《降低通货膨胀法案》对新能源汽车供应链的部分税收政策包括：维持此前单车7500美元的税收抵免；移除7500美元税收抵免对于单家车企新能源汽车累计销量20万辆的上限；二手电动汽车的税收抵免为4000美元等。

但获得全额7500美元的税收抵免需要满足两个严苛条件。

首先，在北美制造或组装的电池占比为2023年不低于50%，2024年或2025年60%，2026年70%，2027年80%，2028年90%，到2028年后增加到100%，满足“电池组件”要求则有资格获得3750美元的税收抵免。

其次，在与美国有自由贸易协定的国家或地区提取或加工，或在北美回收利用的电池关键材料在2023年占比不低于40%，2024年50%，2025年60%，2026年70%，到2027年增加到80%，满足“关键材料要求”则有资格获得3750美元的税收抵免。

作为电动汽车零部件和关键材料的全球最大生产国，中国至今并未与美国签订自由贸易协定，自然成为《降低通货膨胀法案》针对的主要对象。虽然这一730页的法案未提及中国一词，但多家美媒均指出其针对中国电动汽车供应链的意图极为明显。

其中，美国时代杂志网站刊文指出：立法者起草气候和能源一揽子计划时，主要重点之一是将中国排除在供应链之外。该法案旨在刺激美国生产铁和磷酸盐等原材料，而不是依赖从中国进口含有大量镍和钴的电池。

路透社的报道称，作为电动车补贴计划中矿物来源部分的设计师，参议员Joe Manchin表示："汽车制造商应该积极行动起来，确保我们在北美开采，在北美加工，并与中国划清界限"。

另外，《环球时报》英文版Global Times则援引上海梅努托咨询公司的汽车分析师冯世明的话指出，对汽车制造商的补贴大多数条款都规定了新能源汽车的组装地点，但在全球范围内，将电池矿物和电池单元的加工地点也包括在内的情况很少见。”

“这种过激行为暴露了美国打压（中国电动汽车供应链）的恶意意图，”冯世明说。

机构专家：建立美国电池供应链需十年时间

"有了这项立法......芯片和科学法案，以及一系列行政行动，美国在未来几年保持我们的全球竞争优势方面处于更有利的地位，"美国贸易代表戴琪在国会通过《降低通货膨胀法案》时的一份声明中表示。

知名行业分析机构Benchmark分析师Manish Dua也表示：“该法案似乎是朝着正确方向迈出的一步。其核心目的是将关键的矿产供应链和用于制造锂电池和电动汽车的组件本地化，从而产生本地附加值、创造就业机会，并在努力实现减缓气候变化的目标方面取得进展”。

然而，不容忽视的问题是，该法案可能对美国乃至全球新能源汽车行业造成严重伤害，面临着一系类围绕其实际应用的问题，最终进一步加剧其失控的通货膨胀。

根据行业网站autosinnovate的一份报告，目前在美国市场上销售的72种电动车型中，有70%在法案签署后将没有资格获得补贴。在未来几年里，当额外的采购要求生效时几乎没有人能够获得财政激励。这可能会进一步加剧美国消费者的困境。

"不幸的是，新能源汽车税收抵免的要求将使大多数车辆立即失去获得激励的资格。这是一个在关键时刻错失的机会，而且还将危及我们在2030年电动汽车销量达到40-50%的目标”，汽车创新联盟总裁兼首席执行官John Bozzella在其官网上发表的一篇博文中说道。

拜登政府希望到2030年至少有一半美国人购买美国制造的电动汽车，而不是石化燃料驱动的汽车。

为了强化电动汽车供应链，美国政府去年已授予能源部60亿美元用于投资国内电池供应链，同时正与加拿大、澳大利亚等部分所谓“志同道合”国家推进相关合作。

不过，Benchmark首席执行官Simon Moores在其官网发布的文中表示，“从现在到2024 年，任何自由贸易协定国家（其中澳大利亚和智利是佼佼者）几乎都不可能填补中国在美国电动汽车需求方面的原材料缺口。”这是考虑到许多市场基本缺乏原材料供应等因素。

Simon Moores继续强调，“考虑到建造一个矿场和精炼厂需要7年时间，以及建造一个电池厂需要24个月，在美国建立一个全新的电动汽车供应链需要的最佳时间是十年”。

另一方面，Global Time援引冯世明的话称，"本地化总是伴随着巨大的前期支出。例如收益率是电池制造的关键，在美国可能需要多年调整和适应才能实现相对较高的收益率。同时，美国的市场是否 "足够大 "到吸引电动汽车汽车制造商也仍然存疑。

目前，包括宁德时代和比亚迪在内的中国电池制造商共占据全球市场份额的一半左右。对于美国、欧洲、日本和韩国的汽车制造商而言，切断与中国供应商的联系可能会导致采购和交付成本“显著增加”。

鉴于大多数电池零部件是在美国境外组装和开采，美国国会山报指出，为了在未来四年内大幅提高这一比例，回收现有锂离子电池将成为关键，但这项技术还处在初步阶段。而如果增加国内生产，还需要克服制造商与矿场由来已久的相关环境和社会等挑战。

此外，《华尔街日报》认为，《降低通胀法案》还将提高美国的电价，让美国制造商与中国竞争变得更加困难。例如加州虽然在新能源转型方面走得更远，但其电价是亚利桑那州和内华达州的两倍，并且在过去一年中增长速度是全美平均水平的两倍。

综合看来，在《降低通货膨胀法案》比较简单粗暴的逻辑背后面临着重重矛盾，美国短期内势必难以克服及建立电动汽车供应链。而鉴于美国对中国零部件的严重依赖、不断增加的债务以及严重的国内经济问题等，该法案在未来的政党轮换中能否继续实施还有待观察。

对中国电池供应链影响“忽略不计且可控”

显而易见，美国推行《降低通货膨胀法案》的目的，一是加强电动汽车电池和关键材料本地化组装，一是将中国电池供应链排除在其“友好”国家体系之外。

那么，这一法案将对中国电池供应链影响几何？

Benchmark的数据显示，中国目前拥有全球81%的锂电池正极产能、全球91%的负极产能和全球79%的锂离子电池产能。相比之下，美国拥有全球0.16%的正极产能、全球0.27%的负极产能和全球5.5%的锂离子电池产能。

根据SP Global Market Intelligence的分析，截至10月18日，中国电动汽车和电池公司“在2021年获得了640万吨锂储量和资源，几乎与所有其它公司在2020年获得的680万吨锂持平”。

此外，中国还主导着全球锂精炼和加工。根据Benchmark的预测，美国和加拿大目前仅提炼全球3%和3.5%的锂和钴，而中国分别为59%和75%。而到2030年，美国和加拿大将各贡献约7%，中国则将贡献46%。

虽然行业占比有所缩减，但Benchmark预测：作为锂、钴和石墨等电池矿物的最大提炼国，中国这种主导地位不太可能在近十年内结束。

另一方面，尽管美国对盟友施加了巨大压力，以构建供应链“小团体”及将中国排除在全球供应链之外。但考虑到高昂的成本，很少有商业公司会接受这样的计划。

由此，据Global Times援引业内人士的话称，《降低通货膨胀法案》只是政治性的哗众取宠，充分体现了华盛顿的孤立主义心态，但其实对中国新能源汽车崛起产生的影响“可以忽略不计且在可控范围内”。

“不可否认，如果外国汽车制造商远离中国供应商，后者的销量将会暴跌。而这种损失很快就会被中国巨大且蓬勃发展的国内市场所弥补，”冯世明表示。

中信证券分析称，虽然美国《降低通货膨胀法案》试图通过一些税收激励措施，扶持本土化供应链。但是中国新能源汽车供应链企业具备较强的先发优势，供应链成熟，成本优势突出。

“无论是在电池还是正极、负极、隔膜及电解液等锂电材料方面，预计中国企业的供应链中的份额短期内难以被完全替代，仍将保持全球领先地位”，中信证券认为。

与此同时，美国主流媒体也毫不客气。例如《华尔街日报》直接指出，民主党人告诉美国人该法案将对中国造成打击，但当美国人发现真相时将会猛然醒悟。美国新能源制造业的税收抵免无法克服中国巨大的优势——中国的规模经济、劳动力和能源成本以及政府支持。

此前，美国已经尝试过在补贴竞赛中击败中国但并没有成功。奥巴马政府2009年颁布的刺激计划向美国太阳能电池板、锂电池和其他绿色技术制造商提供了巨额贷款和优惠，但许多接受者后来都遇到了技术问题或被低中国竞争对手削弱。

鉴于此，《华尔街日报》认为，资本主义和自由市场使美国成为世界领先的创新者、能源生产国和经济超级大国。近年来，尽管关于中国取代美国的警告可能被过分渲染，但如果国会不断通过自欺欺人的法律，它们最终可能会成为一个个仅让自我满足的“预言”。

总体来看，《降低通货膨胀法案》的确是美国迄今为止在清洁能源方面付诸的最大努力，因而看似聚焦打压中国电动汽车供应链的最大“杀招”。但鉴于美国国内此起彼伏的质疑和重重社会经济矛盾，以及对中国电动汽车零部件的严重依赖等因素，《降低通货膨胀法案》未来的“杀伤力”将极为有限。

6、【芯版图】上半年国产设备投资热持续，超30+项目落地开工投产

集微网消息，国内半导体产业高速发展释放着旺盛的设备市场需求，在复杂的国际形势等因素影响下，设备国产化进程被赋能。

集微网不完全统计数据显示，2022年上半年有超过30个设备类项目取得新进展。其中，签约项目超18个、开工项目超14个、进入竣工投产阶段项目超2个。从环节来看，晶圆制造与测试类设备项目热度颇高。

· 2022年上半年设备类项目概况：江苏地区项目密集，晶圆制造方向热度高

集微网统计发现，2022年1-6月份签约/开工项目主要集中于长三角地区，占项目总数比超70%。其中，晶圆制造与测试设备方向项目居多，占该区域项目总数近70%。

具体来看，在长三角地区，江苏项目以占比超40%领衔，其次是浙江、上海。

在江苏地区，苏州与无锡上半年设备类项目密集落地与开工，包括一期投资德瀛睿创半导体设备项目（3亿元）、长川科技半导体AOI设备业务总部项目、晟丰电子半导体先进制程设备研发与量产项目（5.5亿元）、卓程微半导体设备（昆山）有限公司半导体设备生产项目（3亿元）等。

依据制造环节将半导体设备分为前道晶圆制造设备、封装设备和测试设备，晶圆制造与测试设备项目热度更高。集微网统计显示，在1-6月设备类签约与开工项目中，晶圆制造设备占比34%，其次测试设备占比32%，封装设备类项目占比为19%。

此外，从1-6月开工数来看，各地在设备类项目推动的进展上总体呈现平稳中走高趋势，3、4月份是上半年设备类项目签约的高潮阶段。

· 部分项目概况一览

签约

鸿浩半导体设备开发项目

鸿浩光电在佛山南海区投资建设半导体精密加工厂房、研发实验室等。项目占地约50亩，计划总投资约20亿元，其中固定资产投资总额12亿元。

晶盛研发中心（杭州）暨半导体智能装备生产制造基地项目

项目总投资10.3亿元，签约杭州临平区，将建设晶盛研发中心（杭州）暨半导体智能装备生产制造基地。

上海衍梓薄膜沉积设备项目

项目签约青岛莱西经济开发区，上海衍梓智能科技有限公司专注于半导体核心工艺——化学薄膜沉积设备制造生产，其核心产品VPE反应炉已实现自主可控。莱西项目总投资5亿元，投产后将成为该行业全国第三家、山东省首家接入芯片头部企业生产线并实现量产的半导体薄膜沉积装备公司。

德瀛睿创半导体设备项目

项目签约宜兴经开区，德瀛睿创半导体智能装备一期项目总投资3亿元，将建设SiC碳化硅切片设备、半导体检测设备、半导体薄膜设备生产线。

长川科技半导体AOI设备业务总部

长川科技半导体AOI设备业务总部项目落户苏州工业园区，是长川科技在国内成立的首个独立半导体AOI业务总部，计划未来五年内，苏州公司人员规模将达到600人，知识产权申请数量超150件。

开工

芯源微电子集成电路前道关键设备研发及生产项目

该项目预计建设期为30个月，由公司全资子公司上海芯源微企业发展有限公司实施，计划总投资额为 6.4亿元，项目建成并达产后，主要用于研发与生产前道ArF光刻工艺涂胶显影机、浸没式光刻工艺涂胶显影机及单片式化学清洗机等高端半导体专用设备。

中晟半导体研发中心及产业化基地项目

中晟半导体研发中心及产业化基地项目总投资5.4亿元，占地面积23亩。项目投资主体为中晟半导体(上海)有限公司，业务聚焦第二、三代半导体分立器件生产的关键MOCVD(金属有机化学气相沉积)设备和技术的研发、生产、销售及技术服务。

长川科技集成电路高端智能制造基地项目

长川科技在杭州落地的项目主要为产能扩张。该项目建筑面积约13.7万平方米，建成后将集研发、生产、办公、测试、服务等多功能于一体，满足公司高端装备研发及生产制造需求。

晟丰电子半导体先进制程设备研发与量产项目

项目分两期进行投资建设，将开发半导体封装测试设备、IC载板制程设备、集成电路板印刷设备及真空塞孔制程设备业务。设立研发中心和封装测试中心，定位企业总部运营

竣工/投产

上海中微临港产业化基地（一期）项目主厂房封顶

项目位于上海市临港集成电路产业园，总建筑面积约18万平方米，历经133天实现顺利封顶，项目建成后，将满足集成电路、泛半导体设备的研发、测试和产业化需求

先进科技（惠州）有限公司芯片封装设备三期项目封顶

广东惠州引进的ASM项目已于6月中旬竣工，将带来的年产3000台（套）/年半导体、LED\CMOS图像传感器等芯片封装设备的产能。

7、下半年WiFi 6路由器采用率将超70% 订单交付成难题

集微网消息，据台媒《电子时报》报道，芯片厂商的消息人士透露，WiFi 6 系统芯片的需求一直强劲，瑞昱半导体等供应商仍然无法履行订单。

消息人士称，瑞昱可以完成其手头WiFi 6 系统芯片总订单的60%，今年下半年WiFi 6芯片在PC和路由器应用中的采用率将超过70%。

消息人士称，与其他芯片相比，WiFi 6 系统芯片价格也相对稳定，尤其是消费电子应用，由于终端市场迅速放缓，这些芯片已经面临下行压力。WiFi 5和WiFi 4 系统芯片的价格即将开始下降。据消息人士透露，网络交换机芯片的供应也仍然紧张，需求量大，尤其是高端交换机产品的需求。

8、联发科推出5G芯片T830：4nm制程、5G速率高达7Gbps

集微网消息，近日，联发科5G产品最新成员T830平台亮相登场。

据介绍，作为高集成度系统单芯片，T830采用4nm制程工艺和Arm Cortex-A55四核CPU，搭载M80基带，支持3GPP R16标准和Sub-6GHz全频段5G网络，5G速率高达7Gbps。联发科借此致力将 5G 优势拓展到家庭和企业领域。

联发科指出，对于设备制造商而言， T830 高度整合的简洁设计可大幅节省功耗并减少开发时间和成本。电信设备公司可使用现有的Sub-6GHz行动网络的基础架构，以降低铺设电缆或光纤的成本，让高达7Gbps 的5G速度一气呵成。T830可打造简单易用、便于携带的小型5G网络设备，为消费者省去耗时的宽带固网安装程序，提供5G高速体验。