充电桩芯片第一股！东微半导登陆科创板，市值近百亿元
来源:芯东西发布时间:2022-02-10766浏览
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本土MOSFET销售额第七，打破外企垄断。作者 | 高歌编辑 | Panken芯东西2月10日报道，今天，国产功率半导体厂商东微半导（股票代码：688261）以发行价130元/股登陆科创板。开市后，东微半导股价有所上涨，最高涨至148元/股，之后有所回落。截至芯东西成文，东微半导报138元/股，涨幅6%，总市值92亿元。
▲东微半导股权结构
本次IPO，东微半导计划募集资金9.39亿元，将分别用于“超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化”、“新结构功率器件研发及产业化”、“研发工程中心建设”和“科技与发展储备资金”4个项目。
▲东微半导募集资金投资情况
01.创始人研究登Science直流充电桩产品打破国外厂商垄断
▲东微半导董事长、总经理龚轶
2016年4月，东微半导自主研发的650V、80A快恢复GreenMOS产品实现量产，并进入直流充电桩领域，打破了这一领域国外厂商的垄断。02.半年收入破3亿产品性能比拟氮化镓器件
▲东微半导2018年-2021年上半年营收与净利润变化
主营业务上，东微半导的主要收入来源为高压超级结MOSFET器件，2018年-2020年该产品收入占比均超过80%。其产品主要分为MOSFET和IGBT两类，其中MOSFET产品分为高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET和超级硅MOSFET三类，其IGBT产品则采用了不同于国际主流自研的TGBT器件结构。2020年，东微半导IGBT产品尚未实现营收。
▲2020年东微半导主营业务收入占比
具体来说，东微半导的高压超级结MOSFET工作电压在400V以上，可用于工业LED照明、新能源汽车充电桩等，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点；其中低压屏蔽栅MOSFET器件一般工作电压覆盖25V-150V，主要应用于电池保护、电机驱动器等；东微半导的IGBT产品工作电压包括600V-1350V，适用于新能源汽车充电桩、变频器、逆变器、电机驱动、电焊机、太阳能等领域。
▲东微半导产品与应用范围
东微半导的超级硅MOSFET则是其自主研发，对标氮化镓功率器件的产品。招股书称，通过调整器件结构、优化制造工艺，其超级硅MOSFET产品突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。相比氮化镓功率器件，该产品具有工艺成熟度高、成本低、可靠性高等优势，且东微半导正在推进超级硅系列产品在12英寸产线上的量产。
▲东微超级硅65W PD快充DEMO与苹果30W充电器体积对比（来源：东微半导）
报告期内，东微半导的前五大客户包括凯新达电子、睿创电子等，主要以经销商为主，其主要终端客户包括客户A、高斯宝电气、永联科技、柏怡电子、明纬电子等。
▲东微半导2018年-2021年上半年前五大客户
由于东微半导采用Fabless（无晶圆厂）模式，不直接从事芯片的生产和加工环节，其主要采购内容为晶圆与封测服务。报告期内，华虹半导体为其主要的晶圆供应商，2018年-2020年东微半导对华虹半导体的晶圆采购金额占总采购金额比例均在80%以上。东微半导的主要封测服务供应商则为天水华天，报告期内其采购金额占比在10%以上。
▲东微半导2018年-2021年上半年前五大供应商
03.本土MOSFET厂商销售额第七研发人员占比46%
▲全球前十大功率半导体厂商及销售额
同时，功率器件正不断朝第三代半导体材料方向发展，虽然东微半导已有碳化硅功率器件的样品，但在第三代半导体材料的研发布局上落后于国际巨头，未来存在竞争风险。而在国内，东微半导是少数专注工业级高压超级结MOSFET领域的半导体厂商，其高压超级结MOSFET产品在TO247封装体内同时实现了650V耐压平台以及最低14mohm导通电阻的规格，在性能方面已接近国际先进水平。2016年4月，东微半导推出的GreenMOS系列超级结MOSFET产品打破了国外厂商在充电桩功率器件领域的垄断地位。根据Omdia统计，2019年全球MOSFET销售额为84.20亿美元，东微半导MOSFET产品销售额为2843万美元，在本土厂商中排名第七，占全球0.34%的市场份额。
▲2019年中国本土领先功率半导体厂商MOSFET功率器件全球销售收入
报告期内，东微半导的各期毛利率分别为26.38%、14.93%、17.85%和26.75%。相比新洁能、华微电子、华润微、扬杰科技、士兰微等国内同行业可比公司，东微半导的毛利率变化趋势一致，但整体毛利率水平存在差异。
▲东微半导与同行业可比公司毛利率对比
招股书称，这主要是因为主营业务产品结构和生产经营模式不同，如华微电子、华润微和士兰微等可比公司采用IDM模式，不涉及晶圆的外部采购，毛利率受外部影响较低；而华微电子、华润微、扬杰科技和士兰微等可比公司产品种类相对较多，产品结构相对复杂，和东微半导专注MOSFET产品的经营策略有所不同。值得注意的是，虽然东微半导研发人员占员工总数的比例达46%，但由于公司规模较小，其研发人员人数为31人，低于很多国内同行业上市公司。除首席技术官王鹏飞外，东微半导核心技术人员还包括研发总监刘磊、资深研发工程师刘伟和资深研发工程师毛振东。刘磊硕士毕业于安徽大学电路与系统学院，2007年9月至2009年7月，担任华润上华半导体科技有限公司技术转移部工艺整合工程师；2009年7月加入东微有限。刘伟本科毕业于南京邮电大学微电子学专业，曾在东莞奇力新电子有限公司、苏州可胜科技有限公司任工程师职务；2009年8月，刘伟加入东微有限。毛振东则为中国科学院大学集成电路设计学院硕士学历，曾在华晶电子集团、华润上华科技有限公司、苏州硅能半导体科技股份有限公司任职，2015年3月加入东微有限。报告期内，东微半导研发投入分别为1603万元、1202万元、1599万元和1650万元，占营收比例分别为10.49%、6.13%、5.18%和5.14%。截至2021年6月30日，东微半导已获授权的专利有53项，包括境内发明专利37项、实用新型专利1项，以及境外专利15项。
▲东微半导研发投入与占比情况
04.联合创始人为实际控制人曾获华为哈勃投资
▲东微半导股本情况
05.结语：东微半导上市或弥补经营规模缺陷
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