中芯国际65纳米晶圆出货超万片 成功进入量产阶段

中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布，其自2009年第三季开始在中芯国际北京12寸厂生产的65纳米技术晶圆出货累计已超过10,000片，目前已成功进入量产。

中芯目前拥有超过10个 FOT (Foundry Owned-Tooling) 和 COT(Customer Owned-Tooling) 客户在各个开发以及生产阶段。中芯国际的65纳米逻辑技术显著改善产品集成度，并具有高性能，低功耗以及尺寸更小的高水平。目前涉及的产品应用包括 Wi - Fi，蓝牙，高清电视，影音解码器，应用处理器以及 TD-SCDMA 芯片。65纳米工艺由中芯国际设计服务部门秉持严格的设计标准为客户提供具有符合 DFM 标准的产品和服务。除了中芯国际自主设计的 IP，中芯完整的解决方案也包含了第三方 IP。综合 IP 解决方案为客户提供灵活的优势，以简化设计流程，缩短设计时间，让客户产品能够更快打地入市场。

从65纳米过渡到55纳米技术也正在开发中，中芯55纳米技术按照65纳米制程(包含输入输出和模拟电路)作90%的线性比例缩小。“中芯国际的 65纳米设计可以为目前65纳米客户提供未来提升到55纳米的方便以及益处，中芯国际的65/55-nm 项目小组的进展如火如荼，”中芯国际资深副总裁兼首席商务官季克非表示。“我们的65纳米技术为我们的先端客户提供前所未有的机遇，能帮助先端客户进一步巩固在各自行业的领导地位。中芯65纳米使芯片尺寸大幅减小，耗能度改善，速度提升以及低漏电的特性，能为中芯国际客户提供具有高度差异化的产品以进一步打入市场。”

因应日益剧增的客户需求中芯国际的65纳米产能扩充计划持续进行中。目前中芯为客户提供每两个月一次的65纳米多项目晶圆服务。

中芯国际65纳米汇萃

* 全面的 IP 解决方案(包括 RF, PDK and DFM)，能更节省客户设计成本以及方便客户根据产品定制调试 IP 方案。

* I/O 选择包含：1.8V/2.5V/3.3V & Triple Gate Oxide (1个核心以及2个 I/O) 。关于2.5V 的 I/O 可以有额外驱使到3.3V 或者降低到1.8V 的选择以满足客户广泛产品不同的需求。

* 65LL and 65G 基本制程一致，不过65G 具备额外增强性能的 NMOS 模块。

* 中芯55纳米低成本的技术正在开发中，年底将有突破性进展。

* 金属选项：多达10个铜金属层。

* 中芯目前有10个以上的 FOT 以及 COT 客户进入各个开发以及生产阶段。

* 为客户提供每两个月一次的65纳米多项目晶圆服务。

* 芯片尺寸大幅减小，耗能度改善，速度提升以及低漏电等特性。