Diodes 推出一对双N通道增强型MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一对双N通道增强型MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX，为电池充电电路提供紧凑型双向低损耗开关。新产品的目标终端市场包括智能手机、平板电脑、照相机和媒体播放器等便携式产品使用的单芯及双芯锂电池充电器 。

DMN2014LHAB及DMN2011UFX为双共汲极配置MOSFET，在启动后可驱动双向电流充电或工作使用；在关断后则通过防止过度充电或漏电流过量来保护电池。DMN2014LHAB及DMN2011UFX具有20V的击穿电压额定值，还分别配备少于13mΩ和9.5mΩ的低导通电阻，可在正常工作下降低电池功耗。最高达80A的峰值电流使开关在保护电路启动前就能简单解决短路问题，少于1V的低栅极阈值电压则确保器件能够在低至1.8V驱动电压下正常工作。

DMN2014LHAB采用2mm x 3mm DFN2030微型封装，DMN2011UFX则采用2mm x 5mm DFN2050封装，为设计人员提供外形小巧的解决方案，从而利用省下来的空间来存放额外的电芯，并提高电池容量。