抢攻下一代存储技术！SK海力士成立新研发中心RTC
来源:中国半导体行业协会发布时间:2021-01-1218浏览
询问 AI据etnews报道，为改善DRAM、NANDFlash等产品性能，先于竞争对手开发下一代存储技术，SK海力士日前宣布公司重组了研发部门并成立了新研发中心RTC(RevolutionaryTechnologyCenter)。
该报道指出，RTC隶属于SK海力士未来技术研究所，将由KimJin-guk负责领导。SK海力士表示：“建立RTC是为了加强公司内存业务的竞争优势，并比竞争对手更快地开发新技术。”
据悉，RTC将研发改善芯片处理速度的高宽带内存(HBM)、电阻式RAM(ReRAM)；克服DRAM极限的自旋转移力矩式磁性随机存储器(STT-MRAM)、相位变化存储器(PRAM)；以及全面改良芯片容量、处理速度的3DDRAM等。
SK海力士一直致力于提高自己的技术能力，该公司2019年研发投入29.4亿美元，2020年第一季度在第三季度之间投入了23亿美元，占其收入的11％。
该报道指出，RTC隶属于SK海力士未来技术研究所，将由KimJin-guk负责领导。SK海力士表示：“建立RTC是为了加强公司内存业务的竞争优势，并比竞争对手更快地开发新技术。”
据悉，RTC将研发改善芯片处理速度的高宽带内存(HBM)、电阻式RAM(ReRAM)；克服DRAM极限的自旋转移力矩式磁性随机存储器(STT-MRAM)、相位变化存储器(PRAM)；以及全面改良芯片容量、处理速度的3DDRAM等。
SK海力士一直致力于提高自己的技术能力，该公司2019年研发投入29.4亿美元，2020年第一季度在第三季度之间投入了23亿美元，占其收入的11％。
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