公司简介
Avalanche Technology, headquartered in Fremont, California, is the world leader in Spin Transfer Torque Magnetic RAM (STT-MRAM) non-volatile memory leveraging perpendicular magnetic tunnel junction (pMTJ) cell structure manufactured on 300mm standard CMOS process.
Avalanche Technology 总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，是自旋转移扭矩磁性 RAM （STT-MRAM） 非易失性存储器的全球领导者，该存储器采用垂直磁隧道结 （pMTJ） 单元结构，采用 300mm 标准 CMOS 工艺制造。
Backed by more than 300+ granted patents around cell, circuit, and system design leveraging MRAM, our technology and products provide breakthrough speeds, unlimited endurance and non-volatility while reducing power and cost. With such attributes, our technology will serve and exceed our customers’ objectives as a replacement for SRAM, eFlash, and ROM in embedded applications in addition to discrete SRAM, non-volatile SRAM, NOR and DRAM.
我们的技术和产品以 300+ 多项围绕利用 MRAM 的电池、电路和系统设计的授权专利为后盾，提供突破性的速度、无限的耐用性和非易失性，同时降低功耗和成本。凭借这些特性，我们的技术将服务于并超越客户的目标，除了分立 SRAM、非易失性 SRAM、NOR 和 DRAM 之外，还可以替代嵌入式应用中的 SRAM、eFlash 和 ROM。
