加速实现软性电子新应用

工研院与日本基板大厂KANEKA共同发表合作开发可应用于未来软性显示器的半导体氧化物电晶体阵列技术(IGZO, In-Ga-Zn-OTFT)，这项创新开发的IGZO TFT阵列创新开发出≦200°C低温制程，更具有高挠曲特点，曲率半径?1公分，已克服传统电晶体高温制程热胀冷缩造成的位移及基板变形情形，此研究成果已获第19届全球显示技术研讨会(International Display Workshops , IDW'12)入选论文殊荣，并受邀于12月4日研讨会中发表。

传统的电晶体是在380°c高温制程中，在矽晶圆(Wafer)或玻璃等坚固材质上，利用溅镀、光蚀刻、蒸镀等半导体制程，在矽晶圆上制作出极小的微结构。工研院开发的IGZO TFT阵列创新使用塑胶基板及低温≦200°C制程，使电晶体在低温制程中，仍具有好的电流开关比特性，也因整合元件结构，突破制程中温度升高时，电晶体与塑胶基板两个不同材质因热胀冷缩不一致的应力问题，使软性基板在制作过程中不易破裂外，也使软性基板在制程中维持其平坦性及透明度，易于制作高挠曲TFT背板。

工研院的创新氧化物薄膜电晶体阵列技术，已整合应用于基板大厂KANEKA的软性塑胶(Polyimide,PI)基板，经过双方合作验证，已成功克服应力所造成元件特性失效的技术挑战及实现高挠曲氧化物薄膜电晶体阵列技术(曲率半径?1公分)；同时也透过合作调整，KANEKA公司也发展出大于85%高透明度、低热膨胀(<10ppm/oC)及高耐热温度(> 300 oC)特性的基板。预计这项这项技术可广泛应用于软性AMOLED、软性AM LCD或软性EPD，甚至软性OPV及OLED Lighting，可加速实现手机、电脑或电视等产品变身为轻薄、柔软及可弯曲的产品，也为软性电子打开崭新应用。