小而快,英诺赛科二代新品引领快充市场
来源:充电头网 发布时间:2021-03-03 分享至微信

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基于手机厂商和终端用户的需要,近日,英诺赛科65W GaN快充方案再升级,采用InnoGaN系列具有更低的Ron(115mΩ)、更小寄生电容和DFN 5*6小封装的第二代新品INN650DA01,搭配ON的PWM控制芯片和MPS的同步整流控制芯片,可打造出高效率和高功率密度的全新65W快充方案。

该方案支持PD2.0、PD3.0、PPS、QC2.0/3.0、AFC、FCP、BC1.2DCP、5V2.4A等协议,加之小巧的设计完美解决了传统充电器的专款专用、体积大、携带不便的痛点。

一、输入全电压范围,效率达93%以上

InnoGaN65W Demo与两大主流品牌效率对比

从上图可知,InnoGaN 65W Demo在90V-264V电压下,效率均可达到93-95%之间,高效且稳定;与市场上主流品牌的SiMOS方案对比,效率提高5%,损耗减少大大提升充电速度,是手机、iPad、笔记本电脑的首选,达到迅速回血!

二、迷你体积,小巧轻便

InnoGaN65W Demo与市面主流品牌快充体积对比

InnoGaN 65W Demo主打高密度、小体积,与市场上主流快充产品相比,功率密度提升1倍,频率提高2倍,体积缩小30%,无论是日常出行或外出旅游,均能轻松入袋!

英诺赛科第二代新品INN650DA01 65W GaN快充方案,实现“更小体积、更高效率、安全稳定”的特性,极大满足各大厂商与终端用户的切实需求,将引领快充市场。

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