TEL正式加入Sematech 3D互连研发计划
来源:大半导体产业网 发布时间:2007-11-12
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据Semiconductor International网站报道,东京电子(TEL)日前正式加入Sematech 3-D互连研发计划。
在加入3-D互连研发计划之前,TEL曾参与Sematech 3D通孔硅(through-silicon vias,TSVs)的早期开发工作,包括深反应离子刻蚀、成本模型及技术蓝图设计等。
东京电子美国公司技术中心副总裁Masayuki Tomoyasu表示,随着器件尺寸不断缩小,终端电子产品更加多样化,3D互连将成为不可或缺的技术。
Sematech 3D项目总管Sitaram Arkalgud表示,为实现3D互连技术,我们需要业界的广泛合作,TEL在前段与后段工艺方面拥有丰富的经验,它的加盟使我们计划向前迈进了一大步。Sematech研发计划目标在于将成本、功能、性能与功率消耗完美结合情况下,实现3D通孔硅芯片的高量产,
当量产目标实现后,3D TSV技术将为CMOS制程提供颇具成本效益的解决方案,并最终将CMOS芯片与新兴技术结合起来,比如MEMS与生物芯片等,他补充道。
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