ChosunBiz日前引述业界消息指出，三星与大陆政府正针对西安厂第二期投资进行商议，2017年三星可望与西安市签署第二期投资及相关合作备忘录。三星于2012年开始在西安厂的第一期投资与现在的第二期投资，皆用于打造3DNANDFlash生产所需设备及人力费用。
三星目前只使用西安厂腹地约34万坪中的20%，且现有设备的产量已达理论最大值。设备业者认为，三星西安厂启动3年后的现在，以投入晶圆为基准计算，其3DNANDFlash晶圆月产能为12万片。
专家推测，西安厂与韩国华城厂L12、L16并列三星NANDFlash三大生产据点，平泽厂将于2017年第1季正式稼动，加上西安厂第二期稼动后，三星势必需调整其产能分配。
半导体业界相关人士认为，三星3DNANDFlash未来生产很可能以大陆西安厂及韩国平泽厂为主，并将其目前最大NANDFlash工厂L12部分产能转为生产系统LSI或DRAM等产品，逐渐降低NANDFlash产量。
DRAMeXchange分析三星产能移转状况，指出L12于2016年第4季晶圆月均产能达19万片高峰后，2017年第1季预估为17万片，第3季以后将减至12万片;三星NANDFlash生产基地将阶段性转移至平泽厂及西安厂。
专家指出，存储器市场2017年起进入前所未有的超级周期(SuperCycle)是促使三星增加设备投资的主因。存储器市场一般以3~4年为周期，交替出现热况与萎缩，超级周期指出现长期热络的状况。
韩国存储器业者表示，过去存储器应用主要限于电脑、智能手机等装置，可直接掌握市场需求变化，随近来包括服务器、汽车、大数据、物联网与人工智能(AI)等领域市场扩大，对NANDFlash需求也进一步提升。
ICInsights预估，2017年存储器市场规模将达853亿美元，较2016年773亿美元成长10.3%，至2021年可望扩大至1099亿美元的规模，年均成长率将达7.3%。
