电子网消息，Diodes 公司所推出的 SDT 萧特基二极管系列，使用先进的深槽工艺，提供出色效能，且成本比平面型萧特基二极管相近甚至更低。初始的 29 个装置系列产品，采用热效率封装，提供阻流、自由转轮、返驰与其他二极管功能，适合广泛的产品应用，例如 AC-DC 充电器/转接器、DC-DC 上/下转换及 AC LED 照明。

Diodes 公司的创新深槽工艺，使 SDT 萧特基二极管系列可达到最低 0.62V 的顺向电压 (VF)，及 3.5µA 的漏电流。如此优异的效能，造就杰出的功率效率，使终端系统设计采用更为精巧的外型。此系列产品中，提供 5A 至 40A 的最大平均整流电流额定，峰值重复反向电压 (VRRM) 最高达 120V，顺向突波电流 (IFSM) 最高达 280A，确保完整温度范围内拥有可靠的系统运作。

PowerDI®5、TO220AB 及 ITO220AB 封装选项，都能提供绝佳的热能转移特性，使 SDT 萧特基二极管系列能在严苛的应用中进行可靠运作。这些封装极为适合大量制造，SDP 零件可做为直接替换零件，取代一般平面型萧特基二极管。