群联电子近日于 2017 年 SD 协会全球技术研讨会上，介绍新推出可搭载东芝 64 层垂直储存的 3D NAND(BiCS3)的技术 SD 5.1 A1 规范兼容之 MaxIOPS 系列记 忆卡控制芯片 PS8131，相较于前一代 2D NAND 版本的产品，其效能速度快上 2 倍。

PS8131 支持群联自主开发的最新科技 StrongECC 纠错技术，更搭配了最新制程 3D TLC 的 NAND Flash，因此不但具备精简及低功耗的设计特性，更能增加 3D NAND Flash 的可靠度，而此芯片容量支持将从 32G 至 256GB 皆可达到优化表 现。

该控制芯片提供高于前一代产品 2 倍的随机写入速度(从 500 IOPS 提升至 1300 IOPS)，并强化了控制芯片的硬件及韧体架构，而且不仅能兼容于目前的 Android Marshmallow 操作系统，更能流畅支持最新的 Nougat 操作系统，与智能行动装 置的内存，透过嵌入式扩展储存功能(Adoptable storage function) 完美的整合运 作。

PS8131 在 Read/Write IOPS, PS8131 MaxIOPS+轻松达到 2000/1300，远高于 SD 5.1 A1 规范的 1500/500，不但能为 Android 7.0/6.0 装置的用户，提供即刻扩充内 部内存储存容量的便利性，更能完美的与行动装置内存整合运作，以满足日益 增加的高容量移动储存需求的智能型手机、 平板计算机等新一代行动装置扩充记忆 体储存的需求。