由于国内最大晶圆代工厂中芯国际即将于创科版公开上市，并预计募资约 200 亿人民币。而针对中芯国际提出的公开上市申请，中国上海证交所也提出相关的问题询问。

其中，针对在先进制程研发事项的问题，中芯国际回答指出，目前旗下的 14 纳米 FinFET 制程虽已进入量产阶段，但还处于初期的市场布局阶段，因此市占率仍低。

据报导，中芯国际在公开上市说明说中表示，中芯国际此次计划发行不超过 16.86 亿股新股，预计募资 200 亿人民币，计划分别投入将采用中芯国际 14 纳米 FinFET 制程，由中芯南方所建造中的 12 吋晶圆厂──SN1 计划 80 亿元，先进及成熟制程研发计划储备资金 40 亿元、以及补充流动资金 80 亿元。

其中，兴建 12 吋晶圆厂的 SN1 计划为中国第一条 14 纳米 FinFET 制程，及其以下先进制程的生产线，规划月产能为 3.5 万片，目前已建成月产能约 6,000 片。

报导指出，中芯国际表示，14 纳米 FinFET 制程的晶圆代工产能正处于市场初期布局阶段。因此，现阶段在全球的市占率相对较低。不过第一代 14 纳米 FinFET 制程已进入量产阶段，且具有一定的性价比，目前已同众多客户开展合作，预计产能利用率可以稳定保持在较高水平。

另外，14 纳米 FinFET 制程主要应用于 5G、人工智能、智能驾驶、高效能运算等新兴领域，未来具有其发展前景。而且，随着相关应用领域持续发展，先进制程的市场需求将持续上升。因此，在市场占有率将不断扩大的情况下，也将成为晶圆代工市场新的成长点。

报导进一步引用中芯国际的说法表示，目前第一代 14 纳米 FinFET 制程处于产能和产量稳定提升阶段，因此该产品毛利率为正。不过，因为未来将藉由第一代 14 纳米 FinFET 制程进行生产的中芯南方 SN1 晶圆厂产线仍处于刚开始的兴建阶段，尚未开始折旧，使得当前相关营运及财务数据参考度较低。

在下一代技术节点的开发上，全球纯晶圆代工厂仅剩台积电、中芯国际两家，第二代FinFET技术目前已进入客户导入阶段，与第一代对比有望在性能上提高约20% ，功耗降低约60%。

另外，为加强在先进制程方面的技术实力，中芯国际也将不断加大先进制程的研发投入。其中，之前完成了 28 纳米 HKC+ 制程、第一代 14纳米 FinFET 制程的研发和量产。未来，第二代 14 纳米 FinFET 制程持续发展下，加上不断拓展成熟制程应用平台，这都使得中芯国际在研发费用率将高于其他同类型公司。

至于 28 纳米产品毛利率当前为负值，主要原因包括产业供求失衡的冲击下，全球 28 纳米制程市场出现产能过剩的状况，价格相较于 2017 年平均价格都有所下滑，且相关的产线也面临较高的折旧压力。

本次问询中，中芯国际又对募集资金投资项目的风险进行了补充披露：12英寸芯片SN1项目的总投资额为90.59亿元美元，其中生产设备购置及安装费达733016万美元。

SN1项目达产后将会贡献额外的先进制程收入，但同时带来较高的折旧成本压力。 随着14纳米及下一代制程的产线投产、扩产， 公司一定时期内会面临较大的折旧压力，该部分业务毛利率可能会低于公司平均水平，存在经济效益不达预期，甚至产生较大额度亏损的风险。

此外，中芯国际还对研发费用率远高于同行的原因及合理性进行了说明。数据显示，2019年台积电、中芯国际、联华电子、华虹半导体的研发费用分别为211亿元、47亿元、27亿元、4亿元，相应占营收比重分别为9%、22%、8%、7%。

中芯国际表示，为加强在先进制程方面的技术实力，公司不断加大先进制程的研发投入，相继实现了28nm HKC+工艺、第一代 14nm FinFET工艺的研发和量产，第二代14nm FinFET工艺的研发也在稳健进行中，并不断拓展成熟工艺应用平台，因此公司研发费用率高于可比上市公司。