三星下调12层HBM3E产线稼动率
来源:龙灵 发布时间:2025-07-07 分享至微信
据韩媒ZDNet Korea援引业界消息,三星电子近期下调了12层第五代高带宽存储器(HBM3E)产线的稼动率,约为此前的一半水平。这一调整被认为与三星和NVIDIA的协商进展缓慢有关,导致2025年下半年需求存在不确定性,三星因此转向保守经营策略。

此前,三星预计与NVIDIA的品质测试将在2025年6月完成,并计划向AMD最新的人工智能加速器MI325X和MI350X供应12层HBM3E产品。为提前确保库存,三星自2025年第一季度末开始大幅增加12层HBM3E的产量。韩媒推估,到2025年第二季度末,三星12层HBM3E的月产量已从7万~8万片骤降至3万~4万片。

业内人士指出,若三星向NVIDIA供应延迟,12层HBM3E库存的急剧增加可能对其财务造成压力。此外,随着第六代高带宽存储器(HBM4)市场预计在2026年上半年启动,三星倾向于维持保守生产策略,以避免库存积压。

三星HBM业务的未来表现还将取决于非NVIDIA阵营的定制化芯片(ASIC)需求。目前,谷歌、Meta、亚马逊AWS等国际企业正积极开发其数据中心的主权AI半导体,这些芯片对HBM的需求量巨大。此外,三星能否及时实现HBM4的商业化也至关重要。据悉,三星正专注于开发HBM4的核心芯片——第六代10纳米级(1c)DRAM,并计划在2025年第三季度完成内部量产准备批准(PRA),进入量产前的最后阶段。

目前,12层HBM3E是已商业化HBM产品中最先进的型号,主要在三星韩国平泽一厂(P1)和平泽三厂(P3)生产。
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