据韩国媒体ZDNet Korea报道，三星正加速在高频宽存储器（HBM）市场的布局，以应对全球科技巨头自主研发人工智能（AI）芯片的趋势。这一战略调整不仅为三星带来了新的合作机会，也为其弥补特定客户供应延迟的影响提供了重要突破口。
三星近期确认将向博通供应12层堆叠的HBM3E存储器。这一合作在上个月完成质量测试后敲定，产品即将进入量产阶段。市场分析人士指出，三星与博通的合作预计从2025年下半年开始，并在2026年实现大规模供货。值得注意的是，这批HBM3E可能被用于谷歌计划在2026年量产的新一代张量处理器（TPU）Ironwood。博通凭借其强大的半导体设计能力，正协助谷歌和Meta等公司开发专属AI芯片。尽管此次供应量在年度HBM市场总量中占比不大，但对三星确保HBM供应需求具有战略意义。
与此同时，三星也在积极推进与亚马逊旗下AWS的合作。AWS近期在三星平泽园区完成了实地验厂，双方讨论进展顺利。AWS计划在2026年量产新一代AI芯片Trainium 3，而这款芯片也将搭载三星的12层堆叠HBM3E存储器。
然而，三星在HBM市场的发展并非一帆风顺。其原计划在2024年下半年向英伟达供货12层堆叠HBM3E的目标未能实现，主要原因在于产品性能与稳定性问题。尽管三星重新设计了核心的10纳米级1a制程DRAM，并计划在2025年6月前供货，但目前仍未达成。市场预计，三星最快要到2025年9月才能向英伟达供货。受供应不确定性影响，三星已降低P1和P3厂区内的12层堆叠HBM3E生产线的稼动率。
