据韩媒ChosunBiz报道，三星电子（Samsung Electronics）近期结束了全球战略会议，旗下半导体暨装置解决方案（DS）部门重点讨论了高带宽存储器（HBM）及晶圆代工业务的竞争力提升方案。这些议题引发了韩国各界的高度关注。三星能否重新夺回被SK海力士（SK Hynix）抢占的DRAM市场第一宝座，或许在2025年下半年会有答案。

三星目前正集中精力提升HBM相关业务。据业界消息透露，DS部门在会议中聚焦于向NVIDIA供应第五代12层HBM3E产品的策略，同时规划第六代HBM4的量产计划，并优化DRAM设计。近期，三星已开始向超微（AMD）供应改良版12层HBM3E产品，且正接受NVIDIA的品质测试，试图打入其供应链。

此外，三星在10纳米级第六代1c DRAM技术上也取得进展。随着一般1c DRAM良率的改善，用于HBM的1c DRAM在良率和性能方面也有所提升，预计将在下半年实现HBM4的量产。

在晶圆代工领域，三星已连续数季度亏损，会议中公开了订单争取策略。而系统LSI事业部则讨论了下一代产品的战略，预计7月发布的折叠屏手机“Galaxy Z7系列”将搭载三星自研应用处理器（AP）Exynos 2500。

三星的全球战略会议是每半年一次的例行活动，汇聚全球法人代表与高层，分享各区域与部门经营现状，并制定未来市场战略。