美光推出12层堆叠HBM4存储,性能提升超60%
来源:李智衍 发布时间:2025-06-12
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6月12日,美光宣布已向多家主要客户送样其12层堆叠、容量达36GB的HBM4存储芯片。这款全新HBM4基于成熟的1β(1-beta)DRAM制程技术,采用12层先进封装工艺,并具备强大的存储内建自我测试(MBIST)功能。
据美光透露,随着生成式AI应用的快速发展,推理能力的有效管理变得愈发重要。HBM4存储芯片具备2048位元界面,每堆叠的传输速率超过2.0TB/s,性能相比前代产品提升超过60%。这一扩展界面能够实现高速通信和高吞吐量设计,从而显著提升大型语言模型和推理系统的运行效率。
美光科技资深副总裁兼云端存储事业部门总经理Raj Narasimhan表示:“美光HBM4以其卓越性能、更高频宽和行业领先的能源效率,展现了美光在存储技术领域的领导地位。在HBM3E取得重大突破的基础上,我们将继续通过HBM4及全面的AI存储解决方案推动创新。我们的HBM4生产计划与客户下一代AI平台的开发进度高度契合,确保无缝整合并及时满足市场需求。”
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