据报道，英伟达近期对其产品路线图进行了优化，计划推出的Rubin R100 AI芯片和Vera CPU预计最早将于今年9月进入样品阶段。Blackwell Ultra与Rubin之间的时间差预计仅为6个月。

Rubin R100 GPU将采用台积电的3nm（N3P）工艺和CoWoS-L封装技术，此外，Rubin将首次引入Chiplet设计，并使用4倍掩模大小的设计，相比Blackwell的3.3倍，性能将显著提升。英伟达还计划通过下一代HBM4芯片为Rubin R100提供支持，这被视为对现代HBM3E标准的重要升级。

与此同时，英伟达正着手用Vera系列CPU取代其Grace系列。Vera系列基于ARM的下一代核心，预计性能将大幅提升。数据中心功耗需求的持续增长，促使英伟达将卓越的性能功耗比作为Rubin GPU的核心目标。随着Rubin和Vera的组合推出，英伟达的硬件能力将迈入新的阶段，计算性能有望实现质的飞跃。