据韩媒报道，三星电子近日明确表示，将在第七代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）之后导入垂直通道晶体管（VCT）技术。相关产品预计将在2至3年内推出，这标志着DRAM技术将迎来一次重大革新。

三星在1d nm工艺之后的研发方向上，曾面临两种选择：1e nm工艺与VCT DRAM技术。最终，三星选择了更具创新潜力的VCT技术，并将原1e nm团队整合至1d nm项目组，以集中资源加速开发进程。

VCT DRAM通过三维空间的高效利用，大幅提升了存储密度，但其开发难度也极高。该技术需要突破传统内存的技术限制，并采用更为先进的封装工艺。业内人士指出，这一技术的突破或将为三星在DRAM市场带来显著竞争优势。

报道称，随着VCT技术的引入，三星有望进一步巩固其在半导体存储领域的领先地位，同时推动DRAM技术向更高性能和更高密度方向迈进。