南亚科预计DRAM市场2025年上半年复苏,加速布局高端产品线
来源:林慧宇 发布时间:2025-04-28 分享至微信
据南亚科董事长吴嘉昭透露,常规DRAM市场有望在2025年上半年迎来复苏。南亚科计划通过调整生产线,积极向DDR5、LPDDR5等高价值产品转型,以实现扭亏为盈的目标。

吴嘉昭在营业报告书中指出,从2025年起,个人电脑、智能手机及消费电子产品的需求预计将逐步回暖。此外,行业库存逐季改善,也将为市场复苏提供助力。服务器领域的增长将进一步推动高带宽存储器(HBM)和大容量DDR5模块的需求。在手机领域,随着厂商库存恢复正常,以及人工智能(AI)功能的引入,手机出货量和DRAM搭载量预计都将有所提升。

个人电脑市场方面,吴嘉昭提到,操作系统更新将带动企业换机需求,而AI PC的推出也将推动DRAM搭载量的增长。此外,消费电子产品的短期需求因中国刺激政策改善,库存减少推升单价,但美国关税问题对终端需求的影响仍需观察。

在技术发展上,南亚科计划在今年完成16Gb DDR5微缩版及16Gb LPDDR4验证,并导入8Gb及16Gb LPDDR5产品的试产。同时,基于10纳米第三代制程技术的先导产品将于2025年下半年试产,而基于10纳米第四代制程技术的先导产品则将在2026年第一季度进入试产阶段。

吴嘉昭强调,AI相关高带宽存储器(HBM)产品需要高密度先进产品16Gb DDR5、3D IC硅穿孔工艺(TSV)、多芯片封装技术以及高带宽产品设计能力。南亚科自2017年重建自主研发团队以来,已推出两代10纳米级产品技术,并计划在2024年底量产第二代16Gb DDR5。目前,公司正积极提升TSV及多芯片封装技术能力,并通过战略合作构建逻辑基础IC及HBM集成,预计在2026年底完成验证目标。

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