据南亚科董事长吴嘉昭透露，常规DRAM市场有望在2025年上半年迎来复苏。南亚科计划通过调整生产线，积极向DDR5、LPDDR5等高价值产品转型，以实现扭亏为盈的目标。

吴嘉昭在营业报告书中指出，从2025年起，个人电脑、智能手机及消费电子产品的需求预计将逐步回暖。此外，行业库存逐季改善，也将为市场复苏提供助力。服务器领域的增长将进一步推动高带宽存储器（HBM）和大容量DDR5模块的需求。在手机领域，随着厂商库存恢复正常，以及人工智能（AI）功能的引入，手机出货量和DRAM搭载量预计都将有所提升。

个人电脑市场方面，吴嘉昭提到，操作系统更新将带动企业换机需求，而AI PC的推出也将推动DRAM搭载量的增长。此外，消费电子产品的短期需求因中国刺激政策改善，库存减少推升单价，但美国关税问题对终端需求的影响仍需观察。

在技术发展上，南亚科计划在今年完成16Gb DDR5微缩版及16Gb LPDDR4验证，并导入8Gb及16Gb LPDDR5产品的试产。同时，基于10纳米第三代制程技术的先导产品将于2025年下半年试产，而基于10纳米第四代制程技术的先导产品则将在2026年第一季度进入试产阶段。

吴嘉昭强调，AI相关高带宽存储器（HBM）产品需要高密度先进产品16Gb DDR5、3D IC硅穿孔工艺（TSV）、多芯片封装技术以及高带宽产品设计能力。南亚科自2017年重建自主研发团队以来，已推出两代10纳米级产品技术，并计划在2024年底量产第二代16Gb DDR5。目前，公司正积极提升TSV及多芯片封装技术能力，并通过战略合作构建逻辑基础IC及HBM集成，预计在2026年底完成验证目标。