法国一家专注于氮化铝（AlN）技术研发的初创公司EasyGaN，因未能成功筹集到足够的资金，最终宣布倒闭。
据报道，这家总部位于法国Sophia Antipolis的公司，专注于利用分子束外延（MBE）技术在硅晶圆上开发氮化铝层。相比其他技术，MBE能够更精确地控制材料结构。该技术来源于法国研究实验室CNRS，其独特之处在于能够制造出比传统晶圆技术薄三倍的材料层，适用于代工厂和芯片企业生产毫米波射频芯片。此外，EasyGaN还计划开发基于氮化镓（GaN）的版本，用于射频芯片领域。
EasyGaN的首席执行官、曾担任英特尔平台经理的Andre Bonnardot表示：“尽管我们尽了最大努力，但仍未能获得项目继续推进所需的资金。”他建议，对通过MBE开发的AlN和硅基GaN技术感兴趣的相关方，可以直接联系CRHEA/CNRS实验室的Fabrice Semond，他为EasyGaN项目提供了重要支持。
目前，EasyGaN的官方网站已关闭，其技术未来可能由相关研究机构接手并继续开发。
