据韩媒ChosunBiz援引业界消息，三星电子晶圆代工事业部在第六代高带宽存储器（HBM4）逻辑晶粒的测试生产中，取得了超过40%的良率。这一成果被认为具有重要意义，尤其是在三星正努力追赶竞争对手的背景下。

业内人士指出，初期测试生产良率超过40%已属不俗成绩。相比之下，采用4纳米制程的百度芯片在初期测试生产时，良率仅约15%。三星半导体暨装置解决方案（DS）部门负责人全永铉对这一进展表示认可，并鼓励团队继续优化生产效率。此次生产过程中，三星大量引入了新工艺以提升效率。

目前，在第五代HBM3E市场上，三星的主导地位已被SK海力士和美光取代。然而，三星正全力投入HBM4逻辑晶粒的生产。这种逻辑晶粒采用先进制程，不仅性能更强，还能满足全球大型IT企业的定制化需求。与SK海力士和美光依赖台积电不同，三星凭借自有晶圆代工技术占据一定优势。

三星HBM4的成功与否，很大程度上取决于其存储器事业部开发的10纳米级第六代1c DRAM。HBM4产品将由12层堆叠的逻辑晶粒和1c DRAM组成。如果三星能够稳定量产1c DRAM，将有望在性能上超越SK海力士的前一代1b DRAM产品。

封装技术是另一大关键挑战。三星采用了一种名为先进非导电薄膜热压缩（TC-NCF）的封装方式，这种方式与SK海力士的技术有所不同。然而，如何有效控制发热仍是三星需要解决的问题。业界认为，三星未来的主要任务是稳定DRAM生产并持续改进封装技术。

三星能否在HBM4市场实现反超，仍需观察其后续表现。