4月9日消息，据Tom's hardware报道，Ferroelectric Memory公司（FMC）与Neumonda达成合作，计划在德国重建所谓的“DRAM+”生产。自英飞凌（Infineon）和Qimonda停止在德国开发和生产动态随机存取存储器（DRAM）以来，欧洲的商用DRAM生产因无利可图而逐渐停滞。不过，FMC与Neumonda的新合资项目将专注于非易失性铁电存储器（FeRAM），旨在打造一个面向高级存储器设计和测试的本地生态系统。

FMC专注于利用铁电氧化铪（HfO₂）开发“DRAM+”存储器。这种技术使存储器在断电后仍能保留数据，类似于NAND Flash，但性能更接近DRAM。通过用非易失性版本替代传统DRAM中的电容器，FMC的技术在保持高性能的同时提升了能效和数据保留能力。据称，这种存储器可广泛应用于人工智能（AI）、汽车、消费电子、工业和医疗等领域。

传统的FeRAM技术（通常使用钛酸锆铅或PZT作为铁电层）存在容量限制，大多数商业产品的容量仅为几兆字节，常见规格为4MB或8MB。此外，PZT难以与不断缩小的工艺节点兼容，且与标准CMOS工艺集成复杂且昂贵。这导致1T1C（一个晶体管、一个电容器）单元结构占用更多面积，难以与DRAM或NAND竞争。

然而，转向氧化铪（HfO₂）为FeRAM技术带来了突破。HfO₂与CMOS工艺兼容，尺寸可低于10nm，并能与现有半导体制造工艺无缝集成。这使其能够实现更高的存储密度和性能，可能达到Gigabit（Gb）甚至Gigabyte（GB）级别，从而更接近DRAM的性能。

FMC首席执行官Thomas Rueckes表示：“FMC的目标是利用HfO₂的铁电效应这一颠覆性技术，推动半导体存储器的发展。将其应用于DRAM后，可将传统DRAM电容器转变为低功耗、非易失性的存储设备，同时保持高性能，非常适合AI计算需求。我们的技术在市场上具有独特优势，因此经济高效的测试至关重要。Neumonda的创新测试方法将帮助我们加速产品开发。”

Neumonda将为FMC提供技术支持，包括咨询和访问其先进的测试系统（如Rhinoe、Octopus和Raptor）。这些平台专为低成本、高能效和独立的存储器测试设计，能够提供传统设备无法实现的详细分析，同时显著降低运行成本。