据韩媒Theelec报道，在韩国微电子及封装学会（KMEPS）2025年定期学术大会上，三星资深研究员金在春表示，HBM3E未通过NVIDIA品质验证的问题与发热无关。这一说法打破了此前外界的猜测。

三星存储器事业部副社长金在俊曾在2024年第3季财报会议上提到，HBM3E品质验证已取得重要进展，预计2024年第4季将扩大销售。然而，截至2024年第4季财报会议，三星仍未通过NVIDIA的品质验证，具体原因引发业界热议。

韩国业内人士普遍推测，延迟可能与发热、功耗效率或良率问题有关。但金在春在学术大会上指出，三星已通过优化接点（Joint）厚度解决了发热问题。目前，三星采用的非导电薄膜热压缩（TC-NCF）制程使接点厚度达到业界最高水准，比传统的MR-MUF制程更薄。

HBM（高带宽存储器）通过矽穿孔（TSV）技术将多个DRAM垂直堆叠而成，其接合部分由凸块（bump）和非导电薄膜（NCF）组成，用于实现HBM与逻辑芯片的连接。