三星12层HBM3E重新设计,5月或迎NVIDIA测试结果
来源:林慧宇 发布时间:2025-04-02 分享至微信
据韩媒《产业经济》援引半导体业界消息,三星电子的12层HBM3E存储器在3月底进入重新设计阶段,预计将在5月中旬或5月底再次接受NVIDIA的品质测试。

三星此前曾向NVIDIA提供12层HBM3E样品,但因未能达到客户要求,产品从“预量产”(PRA)阶段退回至客户样品(CS)阶段。据韩国业界人士透露,重新设计通常需要约2个月时间,此次改进主要集中在矽穿孔(TSV)制程等方面。尽管外界曾猜测“发热”是导致测试未通过的主要原因,但三星技术相关人士否认了这一说法,暗示设计问题才是关键。

三星半导体暨装置解决方案(DS)部门负责人全永铉在3月的股东大会上表示,公司正积极回应客户反馈,并预计这些改进成果将在2025年第2季或下半年显现。他还强调,12层HBM3E将在未来市场中扮演重要角色。

目前,三星尚未对具体细节作出进一步说明。若此次重新设计成功,产品有望在2025年第1季完成品质测试,为市场带来新的竞争动力。

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