新凯来杜立军:从7纳米到5纳米,制造步骤增加了约20%
来源:龙灵 发布时间:2025-03-29 分享至微信
据路透社报道,在SEMICON China 2025展会上,深圳市新凯来工业机器展示了多款自主研发的芯片生产设备。这些设备被认为能够助力生产先进制程芯片,以应对美国对中国先进芯片及制造设备出口的持续限制。

新凯来制程设备产品线总裁杜立军透露,尽管中国无法获得先进的极紫外光(EUV)曝光机,但公司已通过自主研发的非光学技术制程设备,解决部分蚀刻难题,从而实现5纳米制程芯片的生产。据悉,该技术已在2023年申请专利,无需依赖EUV设备即可完成生产,同时降低制造成本。

半导体行业普遍认为,荷兰ASML的EUV技术是5纳米及以下制程的关键。然而,中国厂商通过深紫外光(DUV)结合自动对焦四重曝光(SAQP)技术,已成功突破部分限制。不过,杜立军坦言,使用多重曝光技术实现从7纳米到5纳米的跨越,制造步骤增加了约20%,可能对生产良率产生影响。

新凯来由深圳市政府投资基金全资持有,母公司SiCarrier Technology成立于2021年。2023年12月,美国商务部将该公司列入出口管制实体清单,限制其获取美国技术产品。目前,其蚀刻、沉积设备以及光学量测工具已获中国主要晶圆代工厂采用,包括中芯国际。此外,有传闻称其与华为关系密切,但双方均未证实。

在本届SEMICON China展会上,新凯来展示了5款以中国名山命名的产品,包括外延沉积设备“峨眉山”、蚀刻设备“武夷山”、化学气相沉积设备“长白山”、物理气相沉积设备“普陀山”以及原子层沉积设备“阿里山”。

随着中国企业在半导体设备领域的技术突破,美国的制裁效果正逐渐减弱,这有助于中国减少对外国技术的依赖,推动半导体产业的自给自足目标。杜立军曾在一家全球领先的ICT公司任职23年,主导多个研发项目,目前负责新凯来的核心技术战略布局,推动公司业务快速增长。
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