近日，九峰山实验室科研团队宣布在全球首次成功制备8英寸硅基氮极性氮化镓（N - polar GaNOI）高电子迁移率材料。据九峰山实验室官微消息，这一成果将推动射频前端等系统级芯片在频率、效率和集成度等方面实现跨越式提升，为下一代通信、自动驾驶、雷达探测以及微波能量传输等前沿技术的发展提供有力支持。

该技术成果打破了国际技术垄断，实现了全球首次在8英寸硅衬底上制备氮极性氮化镓高电子迁移率功能材料（N - polar GaNOI）。其主要突破体现在三个方面：首先是成本控制，采用硅基衬底，兼容8英寸主流半导体产线设备，并深度集成硅基CMOS工艺，能够快速适配量产工艺；其次是材料性能的提升，材料性能与可靠性兼备；最后是良率的提升，键合界面良率超过99%。这些突破为该材料的大规模产业化奠定了重要基础。

氮极性氮化镓材料在高频段（如毫米波频段）表现出色，这对需要高频操作的领域至关重要。5G/6G通信、卫星通信、雷达系统等领域均有望从中受益。一旦突破量产技术临界点，氮极性氮化镓材料将在这些领域开辟新的应用场景，对产业发展起到革新性推动作用，因此成为国际科研界争相深入探索的焦点材料。