九峰山实验室实现8英寸硅基氮极性氮化镓材料制备
来源:赵辉 发布时间:2025-03-29
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近日,九峰山实验室科研团队宣布在全球首次成功制备8英寸硅基氮极性氮化镓(N - polar GaNOI)高电子迁移率材料。据九峰山实验室官微消息,这一成果将推动射频前端等系统级芯片在频率、效率和集成度等方面实现跨越式提升,为下一代通信、自动驾驶、雷达探测以及微波能量传输等前沿技术的发展提供有力支持。
该技术成果打破了国际技术垄断,实现了全球首次在8英寸硅衬底上制备氮极性氮化镓高电子迁移率功能材料(N - polar GaNOI)。其主要突破体现在三个方面:首先是成本控制,采用硅基衬底,兼容8英寸主流半导体产线设备,并深度集成硅基CMOS工艺,能够快速适配量产工艺;其次是材料性能的提升,材料性能与可靠性兼备;最后是良率的提升,键合界面良率超过99%。这些突破为该材料的大规模产业化奠定了重要基础。
氮极性氮化镓材料在高频段(如毫米波频段)表现出色,这对需要高频操作的领域至关重要。5G/6G通信、卫星通信、雷达系统等领域均有望从中受益。一旦突破量产技术临界点,氮极性氮化镓材料将在这些领域开辟新的应用场景,对产业发展起到革新性推动作用,因此成为国际科研界争相深入探索的焦点材料。
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