深圳的“北方华创”!新凯来发布5大核心设备
来源:芯极速 发布时间:2025-03-27
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外延沉积设备EPI“峨眉山”:专攻第三代半导体(SiC、GaN)材料,支持1200V-6500V高压芯片制造,与深圳第三代半导体创新中心中试线协同验证;EPI外延层是半导体制造中的重要技术。 刻蚀设备ETCH“武夷山”:搭载自研静电卡盘专利(CN119069414A),表面电荷释放速度提升40%,良率显著提升;ETCH蚀刻是半导体制造工艺,微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一道相当重要的步骤。 薄膜沉积设备CVD“长白山”:集成反射结构专利(CN119620268A),体积缩小30%的同时效率提升,已通过ISO 9001认证;CVD化学气相沉积是半导体制造中需求量最大的设备之一。 物理气相沉积设备PVD“普陀山”:适配12英寸晶圆,定位精度达±1.3μm,性能对标国际主流。 原子层沉积设备ALD“阿里山”:支持7nm以下先进制程,已通过中芯国际(深圳)产线验证。

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