台积电加速美国建厂计划,2030年前生产2nm芯片
来源:李智衍 发布时间:2025-03-26
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据媒体报道,台积电董事长兼首席执行官魏哲家本月初与美国总统特朗普共同宣布,这家全球最大的芯片制造商将追加1000亿美元投资,在美国建设五个先进芯片设施和一个研发中心。
台积电首个海外尖端工厂已于去年底在美国投产,目前约有3000名员工。与此同时,该公司正加快推进亚利桑那州第二家工厂的洁净室设施安装工作,预计明年开始试生产。此外,第三家工厂的建设计划也将在今年启动。
消息人士透露,由于劳动力短缺、材料成本上涨及文化差异等挑战,台积电首个美国工厂耗时近五年才完成建设。不过,台积电表示,后续工厂将按照其在中国台湾的“两年建设速度”推进。
台积电计划在2028年前于亚利桑那州第二家工厂启动3nm芯片生产,并在2030年前于第三家工厂量产2nm及更先进的芯片。然而,随着建设速度加快以及总投资额飙升至1650亿美元,外界对台积电是否会“重心转移”的担忧有所增加。
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