据媒体报道，莫斯科泽列诺格勒纳米技术中心于3月24日宣布，已完成俄罗斯首台350nm光刻机的开发，并已具备批量生产能力。同时，该中心正在推进130nm光刻机的研发工作，预计将在2026年完成。

莫斯科市长Sergei Sobyanin表示：“全球仅有不到10个国家或地区能够制造这种关键半导体设备，俄罗斯如今也跻身其中。”他强调，俄罗斯的光刻系统与国外同类产品有显著区别，特别是首次采用固态激光器作为光源，这种技术具有高效节能、寿命长和光谱窄的优势。

光刻机是芯片制造过程中的核心设备，负责将集成电路设计图案转移到硅晶圆上，为后续刻蚀和沉积工艺奠定基础。根据光源和波长的不同，光刻机分为DUV（深紫外）和EUV（极紫外）两种类型。DUV设备通常使用准分子激光器，而EUV设备则依赖激光产生等离子体技术。俄罗斯开发的光刻机采用固态激光器，与传统的气体激光器相比，其光学转换效率更高，能耗更低。

目前，全球光刻机制造技术主要由荷兰、日本和美国等国家主导，其中荷兰ASML是唯一能够量产EUV光刻机的企业。俄罗斯本土企业Mikron目前能够生产90nm芯片，并在2020年实现了65nm工艺的认证，但产能尚不明确。

为减少对进口设备的依赖，俄罗斯计划到2027年实现28nm芯片的本地化生产，到2030年进一步推进至14nm工艺。2024年10月的报道显示，俄罗斯已投入超过2400亿卢布（约合25.4亿美元），用于支持110个研发项目，目标是到2030年全面替代外国芯片制造设备。