近日，合肥中恒微半导体有限公司（以下简称“中恒微”）与芯合半导体（合肥）有限公司（以下简称“芯合半导体”）正式签署战略合作协议。双方将围绕SiC晶圆制造与模块封装领域展开深度合作，通过资源协同和技术互补，共同推动半导体产业链的垂直整合，助力国产半导体生态发展。
据中恒微半导体消息，公司自2018年成立以来，专注于功率半导体模块的研发与制造，尤其在IGBT芯片技术及模块封装领域积累了显著优势。中恒微已突破IGBT 7代技术，其芯片具备低损耗、高功率密度的特点，并通过铜线连接、纳米银烧结等先进工艺，进一步提升了模块的可靠性与效率。目前，中恒微的产品广泛应用于新能源汽车、光伏储能及工业控制等领域，累计为超过20万辆新能源汽车提供核心电控模块，并在分布式储能系统中占据重要市场份额。
芯合半导体则是一家专注于碳化硅功率芯片的IDM企业，业务涵盖芯片设计、晶圆制造及封装测试。公司产品包括Wafer、SBD器件、MOSFET器件及全碳化硅模块。凭借IDM模式，芯合半导体在生产周期、研发迭代、产能保障及质量控制等方面表现出色，其自主研发的SiC SBD、SiC MOSFET系列产品在性能上已达到国际领先水平。
图源：中恒微半导体
在合作框架下，芯合半导体将为中恒微定制化开发高可靠性SiC晶圆，优化芯片设计与封装工艺的匹配度，从源头提升产品性能。中恒微则依托其先进的封装产线，为芯合提供功率器件封测的整体解决方案。双方将实现“SiC晶圆设计-制造-模块封装”全链条技术闭环，大幅缩短产品开发周期，提升产业链自主可控能力。
