至讯创新科技获半导体PVT差异消除专利,加速存储芯片研发
来源:陈超月 发布时间:2025-03-17
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近日,国家知识产权局发布信息显示,至讯创新科技(无锡)有限公司获得了一项名为“半导体设计PVT差异消除电路、方法及集成电路”的专利,授权公告号为CN 119171887 B,申请日期为2024年11月。据公开资料显示,该公司成立于2021年,总部位于无锡,是一家专注于存储芯片技术创新的高科技企业。
至讯创新科技的核心团队由长江存储前CTO汤强博士领衔,汇聚了来自全球知名半导体企业的顶尖人才。公司致力于开发高性能存储芯片,广泛应用于消费电子、物联网、监控、工业控制及汽车电子等领域。目前,至讯创新已成功量产19nm工业级2D NAND闪存芯片,并完成多轮融资,为边缘端AI存储技术的研发提供了强劲动力。
据公开资料透露,该专利技术的突破将进一步提升存储芯片的性能和稳定性,为公司在高端存储市场中占据一席之地提供技术支持。未来,至讯创新科技将继续深耕存储领域,推动技术革新与产业升级。
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