广东芯粤能半导体有限公司（简称“芯粤能”）经过近两年的技术研发和测试，成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。该平台采用芯粤能自主研发的沟槽MOSFET结构，能够显著降低比导通电阻，提高电流密度，同时突破平面MOSFET性能提升的瓶颈，进一步优化芯片性能并大幅降低成本。

芯粤能第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台的1200V试制品表现出优异性能，单片最高良率超过97%。在23mm²芯片尺寸下，导通电阻为12.5mΩ，比导通电阻为2.3mΩ•cm²，性能指标与国际领先厂商的主流产品相当。此外，其温升系数、开关损耗、抗雪崩和抗短路能力均满足产业应用需求，并于2025年1月通过HTGB、HTRB、HV-H3TRB等关键可靠性测试的1000小时考核，实现零失效。

碳化硅MOSFET在新能源汽车主驱芯片、充电桩、光伏及储能等领域的应用正快速扩展，技术迭代也在加速。业界普遍认为，碳化硅沟槽MOSFET是突破碳化硅平面MOSFET Pitch极限的最佳技术方案之一。此前，英飞凌、罗姆已实现碳化硅沟槽MOSFET的量产，安森美也宣布将在下一代碳化硅MOSFET中采用沟槽结构。

芯粤能表示，第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台的研发成功是公司技术创新的重要里程碑，不仅体现了其强大的研发实力，还巩固了其在行业中的技术领先地位。目前，芯粤能正在积极研发布局第二代和第三代沟槽MOSFET，以进一步提升技术水平，缩小与国际领先厂商的差距。

未来，芯粤能将继续坚持创新驱动发展战略，推动更多具有突破性的技术进步，为行业发展和转型提供助力。碳化硅MOSFET市场的快速发展和技术竞争的加剧，也为芯粤能提供了广阔的发展空间。