在半导体制造领域的激烈竞争中，三星电子于 3 月初有了新动作。其在韩国华城园区引入了一台价值高达 5000 亿韩元（约合 25.01 亿元人民币）的 ASML“高数值孔径（NA）极紫外（EUV）光刻设备（High NA EUV）”——EXE:5000。
自去年起，三星电子就对 High NA EUV 设备展开了工艺应用评估。此次引入，是为了将其应用于 2nm 以下的下一代半导体工艺。因为 High NA EUV 对于实现 2nm 以下超精细电路至关重要，是提升半导体制造工艺精度的关键设备，这一举动也被看作是三星提升 2nm 以下工艺成熟度的重要策略。
当下，全球半导体行业竞争激烈，各大巨头都在积极布局先进工艺。英特尔已经签署购买六台 High NA EUV 设备的合同，其中首台已于 2023 年交付；台积电也引入了该设备，加速推进 2nm 工艺的研发和生产。
